此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2019041904) 限制装置、限制结构及其调节方法和蒸镀系统
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2019/041904 国际申请号: PCT/CN2018/088180
公布日: 07.03.2019 国际申请日: 24.05.2018
国际专利分类:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
24
真空蒸发
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
54
镀覆工艺的控制或调节(一般控制或调节入G05)
申请人:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国安徽省合肥市 新站区工业园内 Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012, CN
发明人:
段廷原 DUAN, Tingyuan; CN
邹清华 ZOU, Qinghua; CN
姚固 YAO, Gu; CN
代理人:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层陈源 CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
优先权数据:
201710758151.729.08.2017CN
标题 (EN) LIMITING DEVICE, LIMITING STRUCTURE, ADJUSTING METHOD THEREFOR, AND VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE LIMITATION, STRUCTURE DE LIMITATION, PROCÉDÉ DE RÉGLAGE ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(ZH) 限制装置、限制结构及其调节方法和蒸镀系统
摘要:
(EN) A limiting device for vapor deposition, comprising a limiting structure; the limiting structure comprises a first adjusting structure (1) and a second adjusting structure (2) which are provided on the same plane, the first adjusting structure (1) being opposite to a side of the second adjusting structure (2), and the first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) being spaced apart from each other to form a spacing region. The first adjusting structure (1) and the second adjusting structure (2) are configured to be able to move relative to each other so as to adjust the range of the spacing region. Further provided are an adjusting method for a limiting structure, an adjusting method for a limiting device, and a vapor deposition system.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de limitation pour un dépôt en phase vapeur, comprenant une structure de limitation ; la structure de limitation comprend une première structure de réglage (1) et une seconde structure de réglage (2) qui sont disposées sur le même plan, la première structure de réglage (1) étant disposée en regard d'un côté de la seconde structure de réglage (2), et la première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) étant espacées l'une de l'autre pour former une région d'espacement. La première structure de réglage (1) et la seconde structure de réglage (2) sont conçues pour pouvoir se déplacer l'une par rapport à l'autre de sorte à régler la plage de la région d'espacement. L'invention concerne en outre un procédé de réglage pour une structure de limitation, un procédé de réglage pour un dispositif de limitation, et un système de dépôt en phase vapeur.
(ZH) 一种用于蒸镀的限制装置,包括限制结构,限制结构包括设置于同一平面上的第一调节结构(1)和第二调节结构(2),第一调节结构(1)与第二调节结构(2)的侧边相对,且第一调节结构(1)与第二调节结构(2)相互间隔形成间隔区域。第一调节结构(1)和第二调节结构(2)构造为相对彼此可移动,以调节间隔区域的范围。还公开一种限制结构的调节方法、限制装置的调节方法以及蒸镀系统。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)