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1. (WO2019038953) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/038953 国际申请号: PCT/JP2018/005457
公布日: 28.02.2019 国际申请日: 16.02.2018
国际专利分类:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
26
用波或粒子辐射轰击的
263
带有高能辐射的
268
应用电磁辐射的,例如激光辐射
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
677
用于传送的,例如在不同的工作站之间
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
68
用于定位、定向或对准的
申请人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
发明人:
鈴木 祐輝 SUZUKI Yuki; JP
藤 貴洋 FUJI Takahiro; JP
三上 貴弘 MIKAMI Takahiro; JP
山口 芳広 YAMAGUCHI Yoshihiro; JP
清水 良 SHIMIZU Ryo; JP
代理人:
家入 健 IEIRI Takeshi; JP
优先权数据:
2017-16211525.08.2017JP
标题 (EN) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMPACT LASER, PROCÉDÉ D'IMPACT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
摘要:
(EN) A laser impingement device (1) according to an embodiment of the present invention comprises a laser generator (14) for generating laser light and a flotation unit (10) for causing flotation of a processed object (16) on which laser light impinges. The flotation unit (10) comprises a first region and a second region. The first region and the second region are disposed in such a manner that, in a planar view, the laser light focal point overlaps with the first region and the laser light focal point does not overlap with the second region. The surface section of the second region is formed from a metallic member.
(FR) Un dispositif d'impact laser (1) selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un générateur laser (14) pour générer une lumière laser et une unité de flottement (10) pour provoquer le flottement d'un objet traité (16) que la lumière laser heurte. L'unité de flottement (10) comprend une première région et une deuxième région. La première région et la seconde région sont disposées de telle sorte que, dans une vue en plan, le point focal de lumière laser chevauche la première région et que le point focal de lumière laser ne chevauche pas la seconde région. La section de surface de la seconde région est faite d'un élément métallique.
(JA) 一実施の形態にかかるレーザ照射装置(1)は、レーザ光を発生させるレーザ発生装置(14)と、レーザ光が照射される被処理体(16)を浮上させる浮上ユニット(10)と、を備えている。浮上ユニット(10)は、第1の領域と第2の領域とを備え、第1の領域および第2の領域は、平面視した際にレーザ光の焦点と第1の領域とが重畳し、レーザ光の焦点と第2の領域とが重畳しないように配置されている。第2の領域の表面部は、金属部材で形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)