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1. (WO2019033481) 一种高分子掩膜版及其制作方法和应用
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公布号: WO/2019/033481 国际申请号: PCT/CN2017/101276
公布日: 21.02.2019 国际申请日: 11.09.2017
国际专利分类:
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
24
真空蒸发
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
04
局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
56
专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备
申请人:
武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 305 Room, Building C5, Biolake of Optics Valley No. 666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
发明人:
唐凡 TANG, Fan; CN
代理人:
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市 南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604, Building 2, Oceanwide City Square Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
优先权数据:
201710713991.118.08.2017CN
标题 (EN) POLYMER MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND USE THEREOF
(FR) MASQUE POLYMÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION S'Y RAPPORTANT ET UTILISATION CORRESPONDANTE
(ZH) 一种高分子掩膜版及其制作方法和应用
摘要:
(EN) Disclosed are a polymer mask (1) and a manufacturing method therefor, and the use of the polymer mask (1) in the manufacturing of OLEDs, wherein the polymer mask (1) includes a bearing substrate (11) and a sacrificial layer (12) and a mask (13) successively laminated and arranged on the bearing substrate (11); the mask (13) includes a polymer film layer (131) and several holes (132) provided on the polymer film layer (131) and running through the polymer film layer (131); and the polymer film layer (131) is doped with magnetic nanoparticles. The manufacturing method for the polymer mask (1) comprises the steps of: S1. manufacturing a sacrificial layer (12) on a bearing substrate (11); S2. coating a polymer precursor doped with magnetic nanoparticles on the sacrifice layer (12) and curing same into a film, and forming a primary polymer film (13a); S3. ablating, by means of a photomask mask (21) and by means of laser scanning, the primary polymer film (13a) on the areas not shielded by the photomask mask (21) to form holes (132) and to form a mask (13), so as to obtain a polymer mask precursor (1a); and S4. after washing and drying the polymer mask precursor (1a), weakening the acting force between the bearing substrate (11) and the mask (13) to obtain the polymer mask (1).
(FR) L'invention concerne un masque polymère (1) et un procédé de production s'y rapportant, et l'utilisation du masque polymère (1) dans la production d'OLED, le masque polymère (1) comprenant un substrat de support (11), et une couche sacrificielle (12) et un masque (13) successivement stratifiés et agencés sur le substrat de support (11); le masque (13) comprenant une couche de film polymère (131) et plusieurs trous (132) disposés sur la couche de film polymère (131) et s'étendant à travers la couche de film polymère (131); et la couche de film polymère (131) étant dopée avec des nanoparticules magnétiques. Le procédé de production du masque polymère (1) comporte les étapes suivantes : S1. production d'une couche sacrificielle (12) sur un substrat de support (11); S2. revêtement d'un précurseur de polymère dopé avec des nanoparticules magnétiques sur la couche sacrificielle (12) et durcissement de ce dernier en un film, et formation d'un film polymère primaire (13a); S3. ablation, au moyen d'un masque de photomasque (21) et au moyen d'un balayage laser, le film polymère primaire (13a) sur les zones non protégées par le masque de photomasque (21) en vue de former des trous (132) et de former un masque (13), de façon à obtenir un précurseur de masque polymère (1a); et S4. après le lavage et le séchage du précurseur de masque polymère (1a), affaiblissement de la force d'action entre le substrat de support (11) et le masque (13) en vue d'obtenir le masque polymère (1).
(ZH) 一种高分子掩膜版(1)及其制作方法、以及该高分子掩膜版(1)在制作OLED中的应用,该高分子掩膜版(1)包括承载基板(11)以及依次叠层设置于承载基板(11)上的牺牲层(12)和掩膜(13);掩膜(13)包括高分子膜层(131)以及开设在高分子膜层(131)上并贯穿高分子膜层(131)的若干孔洞(132),高分子膜层(131)中掺有磁性纳米颗粒。该高分子掩膜版(1)的制作方法,包括步骤:S1、在承载基板(11)上制作牺牲层(12);S2、在牺牲层(12)上涂布掺有磁性纳米颗粒的高分子前驱体并固化成膜,形成高分子原膜(13a);S3、利用光罩掩膜版(21)采用激光扫描对高分子原膜(13a)上未被光罩掩膜版(21)遮挡的区域进行烧蚀形成孔洞(132)以形成掩膜(13),获得高分子掩膜版前驱体(1a);S4、清洗并干燥高分子掩膜版前驱体(1a)后,弱化承载基板(11)与掩膜(13)之间的作用力,获得高分子掩膜版(1)。
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公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)