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1. (WO2019032700) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING MAGNETIC CORE INDUCTOR AND METHOD OF MAKING SAME
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公布号: WO/2019/032700 国际申请号: PCT/US2018/045807
公布日: 14.02.2019 国际申请日: 08.08.2018
国际专利分类:
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
49
不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
02
薄膜或厚膜器件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
027
未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
3105
后处理
311
绝缘层的刻蚀
申请人:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
发明人:
SUO, Peng; SG
GU, Yu; SG
SEE, Guan Huei; SG
SUNDARRAJAN, Arvind; SG
代理人:
PATEL, Ronak, A.; US
TABOADA, Alan; US
MOSER, Raymond R., Jr.; US
LINARDAKIS, Leonard, P.; US
优先权数据:
16/056,84707.08.2018US
62/544,74411.08.2017US
标题 (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING MAGNETIC CORE INDUCTOR AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE BOBINE D'INDUCTANCE À NOYAU MAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(EN) A method of forming a magnetic core on a substrate having a stacked inductor coil includes etching a plurality of polymer layers to form at least one feature through the plurality of polymer layers, wherein the at least one feature is disposed within a central region of a stacked inductor coil formed on the substrate; and depositing a magnetic material within the at least one feature.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un noyau magnétique sur un substrat ayant une bobine d'inductance empilée comprenant la gravure d'une pluralité de couches polymères pour former au moins une caractéristique à travers la pluralité de couches polymères, ladite au moins une caractéristique étant disposée à l'intérieur d'une région centrale d'une bobine d'inductance empilée formée sur le substrat ; et le dépôt d'un matériau magnétique à l'intérieur de ladite caractéristique.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)