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1. (WO2019032099) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/032099 国际申请号: PCT/US2017/045974
公布日: 14.02.2019 国际申请日: 08.08.2017
国际专利分类:
G05F 3/30 (2006.01) ,G01R 33/06 (2006.01) ,G05F 1/10 (2006.01) ,G05F 3/08 (2006.01) ,G05F 3/16 (2006.01)
G PHYSICS
05
控制;调节
F
调节电变量或磁变量的系统
3
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
02
调节电压或电流的
08
其中变量是直流的
10
利用具有非线性特性的非控制器件
16
非控制器件是半导体器件
20
应用了二极管与三极管的组合
30
利用工作在不同电流密度下的两个双极型晶体管基一射极电压之间的差别的调节器
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
R
测量电变量;测量磁变量
33
测量磁变量的装置或仪器
02
测量磁场或磁通量的方向或大小
06
采用电磁器件
G PHYSICS
05
控制;调节
F
调节电变量或磁变量的系统
1
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统,即有回授作用的系统
10
调节电压或电流
G PHYSICS
05
控制;调节
F
调节电变量或磁变量的系统
3
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
02
调节电压或电流的
08
其中变量是直流的
G PHYSICS
05
控制;调节
F
调节电变量或磁变量的系统
3
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
02
调节电压或电流的
08
其中变量是直流的
10
利用具有非线性特性的非控制器件
16
非控制器件是半导体器件
申请人:
LINEAR TECHNOLOGY HOLDING LLC [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062, US
发明人:
LAZAROV, Kalin V.; US
CHIACCHIA, Robert C.; US
代理人:
ARORA, Suneel; US
优先权数据:
15/671,08007.08.2017US
标题 (EN) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CORRECTION DE SIGNAL DÉGRADÉ PAR UNE CONTRAINTE
摘要:
(EN) In a system and method for correcting a stress-impaired signal in a circuit, a calibration circuit produces a first calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more pnp transistors, a second calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more npn transistors, and a voltage proportional to absolute temperature. A set of reference values are generated based on these voltages. A gain correction factor is calculated based on a function of the set of reference values and a set of temperature-dependent values, and the stress-impaired signal is corrected based on the gain correction factor.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de correction d'un signal dégradé par une contrainte dans un circuit, dans lesquels un circuit d'étalonnage produit une première tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors PNP, une seconde tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors NPN, et une tension proportionnelle à la température absolue. Un ensemble de valeurs de référence sont générées sur la base de ces tensions. Un facteur de correction de gain est calculé sur la base d'une fonction de l'ensemble de valeurs de référence et d'un ensemble de valeurs dépendant de la température, et le signal dégradé par une contrainte est corrigé sur la base du facteur de correction de gain.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)