此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2019031126) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/031126 国际申请号: PCT/JP2018/025627
公布日: 14.02.2019 国际申请日: 06.07.2018
国际专利分类:
C30B 29/22 (2006.01) ,C30B 11/00 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/41 (2013.01)
C 化学;冶金
30
晶体生长
B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
29
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
10
无机化合物或组合物
16
氧化物
22
复合氧化物
C 化学;冶金
30
晶体生长
B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
11
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
16
材料的选择
18
用于压电器件或电致伸缩器件的
187
陶瓷合成物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
22
专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备
35
形成压电或电致伸缩材料
39
无机材料
41
通过熔融
申请人:
JFEミネラル株式会社 JFE MINERAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都港区芝三丁目8番2号 8-2, Shiba 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014, JP
发明人:
中村 啓一郎 NAKAMURA Keiichiro; JP
越前谷 一彦 ECHIZENYA Kazuhiko; JP
代理人:
落合 憲一郎 OCHIAI Kenichiro; JP
优先权数据:
2017-15387809.08.2017JP
标题 (EN) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN PIÉZOÉLECTRIQUE ET LINGOT MONOCRISTALLIN PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電単結晶インゴットの製造方法および圧電単結晶インゴット
摘要:
(EN) Provided is a method for producing a piezoelectric single crystal ingot which shows small variation in the concentration of PbTiO3 in the growth direction of single crystal. A complete solid solution-type piezoelectric single crystal ingot is produced by using the Bridgman method, said method comprising: filling a starting material, wherein a relaxor having a compositional formula Pb(B1,B2)O3 is blended with lead titanate having a composition PbTiO3 in such a manner as to give a preset composition, into a crucible for growth; heating the material to the melting temperature thereof or higher to give a melted liquid layer; then moving the crucible for growth toward the low temperature side; and thus starting one-direction solidification from the lower part of the crucible to thereby produce a single crystal. In the course of the one-direction solidification, the starting material containing the relaxor having a maximum grain size of 3 mm or less and lead titanate is continuously supplied into the crucible for growth. Thus, a piezoelectric single crystal ingot, wherein the PbTiO3 concentration remains almost constant and the variation in the PbTiO3 concentration falls within a range of ±0.5 mol% over a length of 100 mm or longer in the direction of crystal growth, can be easily produced and, from the piezoelectric single crystal ingot, a piezoelectric element having excellent piezoelectric characteristics can be manufactured at a high yield.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un lingot monocristallin piézoélectrique qui présente une faible variation de la concentration de PbTiO3 dans la direction de croissance d'un monocristal. Un lingot monocristallin piézoélectrique complet de type solution solide est produit en utilisant la méthode de Bridgman, ladite méthode comprenant : le remplissage d'une matière première, un relaxeur qui a une formule compositionnelle Pb(B1,B2)O3 étant mélangé avec du titanate de plomb ayant une composition PbTiO3 de manière à donner une composition prédéfinie, dans un creuset pour la croissance ; le chauffage du matériau à sa température de fusion ou plus pour donner une couche de liquide fondu ; puis le déplacement du creuset pour la croissance vers le côté basse température ; et ainsi le démarrage d'une solidification unidirectionnelle à partir de la partie inférieure du creuset pour ainsi produire un monocristal. Au cours de la solidification unidirectionnelle, la matière première contenant le relaxeur ayant une taille de grain maximale de 3 mm ou moins et du titanate de plomb est introduite en continu dans le creuset pour la croissance. Ainsi, un lingot monocristallin piézoélectrique, dans lequel la concentration de PbTiO3 reste presque constante et la variation de la concentration en PbTiO3 se situe dans une plage de ± 0,5 % en moles sur une longueur de 100 mm ou plus dans la direction de croissance cristalline, peut être facilement produit et, à partir du lingot monocristallin piézoélectrique, un élément piézoélectrique ayant d'excellentes caractéristiques piézoélectriques peut être fabriqué à un rendement élevé.
(JA) 単結晶成長方向にPbTiO3の濃度の変動の幅が狭い、圧電単結晶インゴットの製造方法を提供する。 所定の組成となるように、Pb(B1,B2)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とを、配合した原料を、育成坩堝に充填し、融点以上に加熱して、融液層としたのちに、低温方向に育成坩堝を移動させて、坩堝の下部から一方向凝固を開始させ、単結晶を製造するブリッジマン法を用いて、全率固溶型圧電単結晶インゴットを製造する。一方向凝固させる途中に、育成坩堝中に、最大粒径が3mm以下のリラクサーおよびチタン酸鉛を含む原料を、連続的に供給する。これにより、PbTiO3の濃度がほぼ一定で、かつPbTiO3の濃度の変動幅が、結晶成長方向に100mm以上の長さに亘って±0.5mol%以下となり、優れた圧電特性を有する圧電素子を歩留り高く作製できる圧電単結晶インゴットを容易に製造できる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)