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1. (WO2019026337) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
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公布号: WO/2019/026337 国际申请号: PCT/JP2018/012492
公布日: 07.02.2019 国际申请日: 27.03.2018
国际专利分类:
H02M 7/48 (2007.01)
H 电学
02
发电、变电或配电
M
用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
7
交流功率输入变换为直流功率输出;直流功率输入变换为交流功率输出
42
不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的
44
利用静态变换器的
48
应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的
申请人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
发明人:
塚本 乾 TSUKAMOTO, Ken; JP
漆原 法美 URUSHIWARA, Noriyoshi; JP
河野 恭彦 KOUNO, Yasuhiko; JP
堀内 敬介 HORIUCHI, Keisuke; JP
代理人:
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都品川区東品川二丁目3番12号 シーフォ-トスクエア センタ-ビルディング16階 Seafort Square Center Building, 16F, 2-3-12, Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
优先权数据:
2017-15114703.08.2017JP
标题 (EN) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT, MODULE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS DE CONVERSION DE COURANT, ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 電力変換装置、電力変換用半導体素子モジュール及び電力変換方法
摘要:
(EN) Provided is a power conversion device provided with: semiconductor switching elements on the P-side and N-side for each performing switching control in accordance with a mode of energizing a P-terminal and an N-terminal; diodes each connected in parallel with each of the semiconductor switching elements on the P-side and N-side; a smoothing capacitor connected in parallel with the combination of each of the semiconductor switching elements on the P-side and each of the semiconductor switching elements on the N-side connected in series; and a package housing the respective semiconductor switching elements on the P-side and N-side, each of the diodes, and the smoothing capacitor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de conversion de courant comprenant : des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N pour chaque commande de commutation en fonction d'un mode d'excitation d'une borne P et d'une borne N ; des diodes connectées chacune en parallèle avec chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N ; un condensateur de lissage connecté en parallèle à la combinaison de chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté N connectés en série ; et un boîtier recevant les éléments de commutation à semi-conducteurs respectifs sur le côté P et le côté N, chacune des diodes et le condensateur de lissage.
(JA) P端子及びN端子への通電態様に応じてスイッチング制御を行うP側及びN側各半導体スイッチング素子と、これらP側及びN側各半導体スイッチング素子に対してそれぞれ並列に接続された各ダイオードと、直列に接続された前記P側各半導体スイッチング素子及びN側各半導体スイッチング素子の組み合わせに対して並列に接続された平滑コンデンサと、P側及びN側各半導体スイッチング素子、各ダイオード及び平滑コンデンサを内蔵するパッケージと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)