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1. (WO2019024803) 电平移位电路和集成电路芯片
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/024803 国际申请号: PCT/CN2018/097533
公布日: 07.02.2019 国际申请日: 27.07.2018
国际专利分类:
H03K 19/0185 (2006.01)
H 电学
03
基本电子电路
K
脉冲技术
19
逻辑电路,即,至少有两个输入作用于一个输出的;倒向电路
0175
耦合装置;接口装置
0185
仅使用场效应晶体管的
申请人:
深圳市中兴微电子技术有限公司 SANECHIPS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区西丽街道留仙大道中兴工业园 ZTE Industrial Park, Liuxian Avenue Xili Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518055, CN
发明人:
党涛 DANG, Tao; CN
代理人:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张帆 Fan Zhang, 10th Floor, Tower D Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District, Beijing 100005, CN
优先权数据:
201710639905.731.07.2017CN
标题 (EN) LEVEL SHIFTER CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT CHIP
(FR) CIRCUIT DE DÉCALAGE DE NIVEAU ET PUCE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
(ZH) 电平移位电路和集成电路芯片
摘要:
(EN) Provided in the present disclosure are a level shifter circuit and an integrated circuit chip. In said level shifter circuit, access voltage division circuits are additionally arranged between the drain of a P-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (PMOS) and the drain of an N-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (NMOS), between the source and drain of the PMOS and between the source and drain of the NMOS respectively within a level shifter circuit composed of a first PMOS and a second PMOS that are cross-connected and a first NMOS and a second NMOS that serve as two low voltage domain inversion signal inputs.
(FR) La présente invention concerne un circuit de décalage de niveau et une puce de circuit intégré. Dans ledit circuit de décalage de niveau, des circuits de division de tension d'accès sont agencés de manière complémentaire entre le drain d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à canal P (PMOS) et le drain d'un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à canal N (NMOS), entre la source et le drain du PMOS et entre la source et le drain du NMOS respectivement dans un circuit de décalage de niveau composé d'un premier PMOS et d'un second PMOS qui sont connectés en croix et d'un premier NMOS et d'un second NMOS qui servent en tant que deux entrées de signal d'inversion de domaine basse tension.
(ZH) 本公开提供了一种电平移位电路和一种集成电路芯片。在所述电平移位电路中,在由交叉连接的第一P沟道场效应晶体管(PMOS)和第二PMOS以及作为两个低电压域反相信号输入的第一N沟道场效应晶体管(NMOS)和第二NMOS组成的电平移位电路中,在PMOS的漏极和NMOS的漏极之间、PMOS源极和漏极之间和NMOS源极和漏极之间分别增加设置接入分压电路。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)