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1. (WO2019024021) 成膜设备及成膜方法
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公布号: WO/2019/024021 国际申请号: PCT/CN2017/095699
公布日: 07.02.2019 国际申请日: 02.08.2017
国际专利分类:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
18
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
申请人:
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No. 8288 Longgang Road, Henggang Street Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
发明人:
欧建兵 OU, Jianbing; CN
代理人:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
优先权数据:
标题 (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
摘要:
(EN) A film forming device (10) comprises a film forming chamber (11, 12). At least two material sources (121, 122) are disposed inside the film forming chamber (11, 12). The at least two material sources (121, 122) are used for coating a film on a substrate (100). A safe working distance (D) exists between every two material sources (121, 122), and after the current material source (121) coats a film on the substrate (100), the next material source (122) coats a film on a film layer formed by the previous material source (121). A film forming method, used for forming a film layer on the substrate (100). By means of the film forming device and the film forming method, a film forming processing line can be shortened, the production efficiency is improved, and device costs are reduced.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de formation de film (10) qui comprend une chambre de formation de film (11, 12). Au moins deux sources de matériau (121, 122) sont disposées dans la chambre de formation de film (11, 12), lesdites sources de matériau (121, 122) servent à revêtir un film sur un substrat (100). Une distance de travail sûre (D) existe entre chaque paire de sources de matériau (121, 122), et après revêtement d'un film sur le substrat (100) par la source de matériau actuelle (121), la source de matériau suivante (122) revêt un film sur une couche de film formée par la source de matériau précédente (121). L'invention porte également sur un procédé de formation de film, permettant de former une couche de film sur le substrat (100). Au moyen du dispositif et du procédé de formation de film, une ligne de traitement de formation de film peut être raccourcie, l'efficacité de production est améliorée, et les coûts de dispositif sont réduits.
(ZH) 一种成膜设备(10),包括成膜室(11,21),成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122),至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜;其中,每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D),且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后,后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法,用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线,提升生产效率,并降低设备成本。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)