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1. (WO2019005129) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/005129 国际申请号: PCT/US2017/040406
公布日: 03.01.2019 国际申请日: 30.06.2017
国际专利分类:
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
11
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
02
应用磁性元件的
16
应用磁自旋效应的存储元件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
08
磁场控制的电阻器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
22
包括有利用电—磁效应的组件的,例如霍尔效应;应用类似磁场效应的
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
发明人:
WANG, Yih; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
代理人:
WAGAR, Bruce A.; US
优先权数据:
标题 (EN) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
(FR) CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN
摘要:
(EN) A spin Hall effect magnetoresistive random-access memory cell includes first and second access transistors in a device level of a semiconductor device, a wordline in the device level and coupled to gate terminals of the first and second access transistors, first and second source lines in a lowest metal interconnect layer of the semiconductor device and coupled to source terminals of the first and second access transistors, respectively, spin Hall metal in a lower portion of a second lowest metal interconnect layer and coupling drain terminals of the first and second access transistors, a magnetic tunnel junction (MTJ) in an upper portion of the second lowest metal interconnect layer and having a bottom terminal coupled to the spin Hall metal, and a bitline in a third lowest metal interconnect layer and coupled to a top terminal of the MTJ.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire vive magnétorésistive à effet Hall de spin qui comprend des premier et second transistors d'accès au niveau du dispositif d'un dispositif semi-conducteur, une ligne de mots au niveau du dispositif et couplée à des bornes de grille des premier et second transistors d'accès, des première et seconde lignes de source dans une couche d'interconnexion métallique la plus basse du dispositif à semi-conducteur et couplées à des bornes de source des premier et second transistors d'accès, respectivement, font tourner du métal à effet Hall de spin dans une partie inférieure d'une seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et des bornes de drain de couplage des premier et second transistors d'accès, une jonction tunnel magnétique (MTJ) dans une partie supérieure de la seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et comportant une borne inférieure couplée au métal à effet Hall de spin, et une ligne de bits dans une troisième couche d'interconnexion métallique la plus basse et couplée à une borne supérieure de la MTJ.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)