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1. (WO2019003045) STORAGE DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2019/003045 国际申请号: PCT/IB2018/054482
公布日: 03.01.2019 国际申请日: 19.06.2018
国际专利分类:
G11C 11/4091 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
11
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
21
应用电元件的
34
应用半导体器件的
40
应用晶体管的
401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
4063
辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
407
用于场效应型存储单元的
409
读写(R-W)电路
4091
读出或读出/刷新放大器,或相关的读出电路,例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
5
包括在G11C 11/00组中的存储器零部件
02
存储元件的排列,例如,矩阵形式的排列
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
7
数字存储器信息的写入或读出装置
06
读出放大器;相关的电路
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
77
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78
with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82
to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822
the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232
Field-effect technology
8234
MIS technology
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
78
把衬底连续地分成多个独立的器件
82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
822
衬底是采用硅工艺的半导体的
8232
场效应工艺
8234
MIS technology
8239
存储器结构
8242
动态随机存取存储结构(DRAM)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
10
在重复结构中包括有多个独立组件的
105
包含场效应组件的
108
动态随机存取存储结构的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
申请人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
发明人:
大貫達也 ONUKI, Tatsuya; JP
長塚修平 NAGATSUKA, Shuhei; JP
优先权数据:
2017-12501727.06.2017JP
2017-14883901.08.2017JP
标题 (EN) STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置
摘要:
(EN) Provided is a storage device with a fast operating speed. This storage device is provided with a first and a second memory cell, a first and a second bit line, a first and a second switch, and a sense amplifier. The sense amplifier is provided with a first node and a second node. The first memory cell is electrically connected to the first node via the first bit line and the first switch, and the second memory cell is electrically connected to the second node via the second bit line and the second switch. The sense amplifier amplifies the potential difference between the first node and the second node. The first memory cell and the second memory cell are each provided with a transistor which includes an oxide semiconductor in the channel formation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage comportant une vitesse de fonctionnement rapide. Ce dispositif de stockage est pourvu d'une première et d'une seconde cellule de mémoire, d'une première et d'une seconde ligne de bits, d'un premier et d'un second commutateur, et d'un amplificateur de détection. L'amplificateur de détection est pourvu d'un premier nœud et d'un second nœud. La première cellule de mémoire est connectée électriquement au premier noeud par l'intermédiaire de la première ligne de bits et du premier commutateur, et la seconde cellule de mémoire est connectée électriquement au second noeud par l'intermédiaire de la seconde ligne de bits et du second commutateur. L'amplificateur de détection amplifie la différence de potentiel entre le premier noeud et le second noeud. La première cellule de mémoire et la seconde cellule de mémoire sont chacune pourvues d'un transistor qui comprend un semi-conducteur d'oxyde dans la région de formation de canal.
(JA) 動作速度の速い記憶装置を提供する。 第1および第2メモリセルと、 第1および第2ビット線と、 第1および第2スイッチと、 センスアン プを有する記憶装置である。 センスアンプは第1ノードおよび第2ノードを有する。 第1メモリセル は、第1ビット線および第1スイッチを介して、第1ノードに電気的に接続され、第2メモリセルは、 第2ビット線および第2スイッチを介して、 第2ノードに電気的に接続される。 センスアンプは、 第 1ノードと第2ノードの電位差を増幅する。 第1メモリセルおよび第2メモリセルは、 チャネル形成 領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)