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1. (WO2018223391) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
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公布号: WO/2018/223391 国际申请号: PCT/CN2017/087774
公布日: 13.12.2018 国际申请日: 09.06.2017
国际专利分类:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
33
至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;这些半导体器件的零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
50
应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
申请人:
GOERTEK. INC [CN/CN]; No. 268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031, CN
发明人:
ZOU, Quanbo; CN
CHEN, Peixuan; CN
FENG, Xiangxu; CN
GAN, Tao; CN
ZHANG, Xiaoyang; CN
WANG, Zhe; CN
代理人:
BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District, Beijing 100020, CN
优先权数据:
标题 (EN) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE RÉSEAU DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
摘要:
(EN) A micro-LED transfer method, manufacturing method and display device are provided. The micro-LED transfer method comprises: bonding the micro-LED array (204) on a first substrate (201) onto a receiving substrate (202) through micro-bumps (206), wherein the first substrate (201) is laser transparent; applying underfill (208) into a gap between the first substrate (201) and the receiving substrate (202); irradiating laser (207) onto the micro-LED array (204) from a side of the first substrate (201) to lift-off the micro-LED array (204) from the first substrate (201); and removing the underfill (208). The bonding strength may be improved during a transfer of a micro-LED array (204).
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de micro-DEL, un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage. Le procédé de transfert de micro-DEL consiste à : lier le réseau de micro-DEL (204) sur un premier substrat (201) sur un substrat de réception (202) à travers des micro-bosses (206), le premier substrat (201) étant transparent au laser; appliquer un sous-remplissage (208) dans un espace entre le premier substrat (201) et le substrat de réception (202); irradier un laser (207) sur le réseau de micro-DEL (204) à partir d'un côté du premier substrat (201) pour soulever le réseau de micro-DEL (204) à partir du premier substrat (201); et retirer le sous-remplissage (208). La force de liaison peut être améliorée pendant un transfert d'un réseau de micro-DEL (204).
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)