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1. (WO2018220907) FILM-FORMATION DEVICE AND FILM-FORMATION METHOD
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公布号: WO/2018/220907 国际申请号: PCT/JP2018/005743
公布日: 06.12.2018 国际申请日: 19.02.2018
国际专利分类:
C23C 14/34 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
34
溅射
H 电学
01
基本电气元件
B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
13
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
申请人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
发明人:
須田 具和 SUDA, Tomokazu; JP
高橋 明久 TAKAHASHI, Hirohisa; JP
織井 雄一 ORII, Yuichi; JP
箱守 宗人 HAKOMORI, Muneto; JP
代理人:
大森 純一 OMORI, Junichi; JP
优先权数据:
2017-10835431.05.2017JP
标题 (EN) FILM-FORMATION DEVICE AND FILM-FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
摘要:
(EN) [Problem] To stabilize water vapor partial pressure and further stabilize the film quality of a transparent conductive film. [Solution] A film formation device comprises a first vacuum chamber, a gas supply source, a film formation source, and a control device. In the first vacuum chamber, a reduced pressure state is maintained and a carrier for holding a substrate can be transported in and out. The gas supply source is capable of supplying a water vapor gas to the first chamber. The film formation source is disposed in the first vacuum chamber and is capable of generating a material of a transparent conductive film formed on the substrate. When the transparent conductive film is to be formed on the substrate, the control device controls the range of the water vapor partial pressure of the first vacuum chamber between a first partial pressure or higher and a second partial pressure or lower, which is higher than the first partial pressure.
(FR) [Problème] Stabiliser la pression partielle de vapeur d’eau et stabiliser en outre la qualité de film d’un film conducteur transparent. [Solution] La présente invention concerne un dispositif de formation de film qui comprend une première chambre à vide, une source d’alimentation en gaz, une source de formation de film, et un dispositif de commande. Dans la première chambre à vide, un état de pression réduite est maintenu et un support pour maintenir un substrat peut être transporté à l’intérieur et à l’extérieur. La source d’alimentation en gaz peut alimenter un gaz de vapeur d’eau dans la première chambre. La source de formation de film est disposée dans la première chambre à vide et peut générer un matériau d’un film conducteur transparent formé sur le substrat. Lorsque le film conducteur transparent doit être formé sur le substrat, le dispositif de commande commande la plage de la pression partielle de vapeur d’eau de la première chambre à vide entre une première pression partielle ou plus et une deuxième pression partielle ou moins, qui est supérieure à la première pression partielle.
(JA) 【課題】水蒸気分圧を安定させ、透明導電膜の膜質をより安定させる。 【解決手段】成膜装置は、第1真空室と、ガス供給源と、成膜源と、制御装置とを具備する。上記第1真空室においては、減圧状態が維持され、基板を保持するキャリアの搬入出が可能になっている。上記ガス供給源は、上記第1真空室に、水蒸気ガスを供給することができる。上記成膜源は、上記第1真空室に配置され、上記基板に形成される透明導電膜の材料を発生させることができる。上記制御装置は、上記透明導電膜が上記基板に形成される際に、上記第1真空室の水蒸気分圧を第1分圧以上で上記第1分圧よりも高い第2分圧以下の範囲に制御する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)