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1. (WO2018216612) APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
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公布号: WO/2018/216612 国际申请号: PCT/JP2018/019284
公布日: 29.11.2018 国际申请日: 18.05.2018
国际专利分类:
H01L 21/306 (2006.01) ,B08B 3/02 (2006.01) ,C03C 15/00 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
306
化学或电处理,例如电解腐蚀
B 作业;运输
08
清洁
B
一般清洁;一般污垢的防除
3
使用液体或蒸气的清洁方法
02
用喷射力来清洁
C 化学;冶金
03
玻璃;矿棉或渣棉
C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分;玻璃的表面处理;由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理;玻璃与玻璃或与其他材料的接合
15
纤维和丝之外的蚀刻法玻璃表面处理
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
677
用于传送的,例如在不同的工作站之间
申请人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
发明人:
井谷 晶 ITANI Akira; --
代理人:
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
优先权数据:
2017-10431226.05.2017JP
标题 (EN) APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
摘要:
(EN) Provided is a wet etching apparatus 20 comprising: a wet etching bath 21 for supplying an etchant to a to-be-treated surface of a mother glass substrate; a cleaning bath 22 which is disposed downstream of the wet etching bath 21 to supply a cleaning solution to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; a replacement bath 23 which is disposed between the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22 to supply a replacement fluid for replacing the etchant to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; and a substrate transport unit 24 which transports the mother glass substrate in order from the wet etching bath 21 to the replacement bath 23 and then the cleaning bath 22, and transports the mother glass substrate faster in the replacement bath 23 than in the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22.
(FR) L'invention concerne un appareil de gravure humide 20 comprenant : un bain de gravure humide 21 pour fournir un agent de gravure à une surface à traiter d'un substrat de verre mère; un bain de nettoyage 22 qui est disposé en aval du bain de gravure humide 21 pour fournir une solution de nettoyage à la surface à traiter du substrat de verre mère; un bain de remplacement 23 qui est disposé entre le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22 pour fournir un fluide de remplacement pour remplacer l'agent de gravure sur la surface à traiter du substrat de verre mère; et une unité de transport de substrat 24 qui transporte le substrat de verre mère dans l'ordre depuis le bain de gravure humide 21 jusqu'au bain de remplacement 23 , puis le bain de nettoyage 22, et transporte le substrat de verre mère plus rapidement dans le bain de remplacement 23 que dans le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22.
(JA) ウェットエッチング装置20は、マザーガラス基板の被処理面にエッチング液を供給するウェットエッチング処理槽21と、ウェットエッチング処理槽21の下流側に配されてマザーガラス基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽22と、ウェットエッチング処理槽21と洗浄槽22との間に介在する形で配されてマザーガラス基板の被処理面にエッチング液を置換するための置換液を供給する置換槽23と、ウェットエッチング処理槽21、置換槽23及び洗浄槽22の順でマザーガラス基板を搬送し、置換槽23ではウェットエッチング処理槽21及び洗浄槽22よりマザーガラス基板を速く搬送する基板搬送部24と、を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)