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1. (WO2018216226) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
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公布号: WO/2018/216226 国际申请号: PCT/JP2017/020526
公布日: 29.11.2018 国际申请日: 26.05.2017
国际专利分类:
H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
203
应用物理沉积的,例如真空沉积,溅射
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
16
材料的选择
18
用于压电器件或电致伸缩器件的
187
陶瓷合成物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
22
专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备
31
施加压电或电致伸缩部件或本体到一个电子元件或另一个基底上
314
通过沉积压电或电致伸缩层,例如气溶胶或丝网印刷
316
通过气相沉积
申请人:
アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 千葉県流山市西平井956番地の1 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156, JP
发明人:
本多 祐二 HONDA Yuji; JP
木島 健 KIJIMA Takeshi; JP
濱田 泰彰 HAMADA Yasuaki; JP
代理人:
柳瀬 睦肇 YANASE Mutsuyasu; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル4階 進歩国際特許事務所 Patent Attorneys Shinpo, 4th Floor, Hongo K&K Building, 3-30-10, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
优先权数据:
标题 (EN) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
摘要:
(EN) The film-forming device according to one embodiment of the present invention has: a chamber 21 electrically connected to a grounding potential; a target TG disposed in the chamber; a power supply section 32 that supplies high-frequency power to the target; gas supply sections 23, 24 that supply a gas to the inside of the chamber; a substrate holding insulating section 25b, which is disposed in the chamber, and which holds a substrate SB by having the substrate face the target; a conductive supporting section 42 that supports the substrate holding insulating section; and a first insulating member 53 disposed between the conductive supporting section and the chamber. The conductive supporting section is electrically floating from the chamber due to the first insulating member, the substrate is held by the substrate holding insulating section when an outer peripheral section of the substrate comes into contact with the substrate holding insulating section, the substrate is electrically floating from the conductive supporting section, and the substrate holding insulating section does not overlap a center section of the substrate in plan view.
(FR) Le dispositif de formation de film selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une chambre 21 connectée électriquement à un potentiel de mise à la terre; une cible TG disposée dans la chambre; une section d'alimentation électrique 32 qui fournit de l'énergie à haute fréquence à la cible; des sections d'alimentation en gaz 23, 24 qui fournissent un gaz à l'intérieur de la chambre; une section d'isolation de maintien de substrat 25b, qui est disposée dans la chambre, et qui maintient un substrat SB par le fait que le substrat fait face à la cible; une section de support conductrice 42 qui supporte la section d'isolation de maintien de substrat; et un premier élément isolant 53 disposé entre la section de support conductrice et la chambre. La section de support conductrice est électriquement flottante de la chambre en raison du premier élément isolant, le substrat est maintenu par la section d'isolation de maintien de substrat lorsqu'une section périphérique externe du substrat vient en contact avec la section d'isolation de maintien de substrat, le substrat est électriquement flottant à partir de la section de support conductrice, et la section d'isolation de maintien de substrat ne chevauche pas une section centrale du substrat dans une vue en plan.
(JA) 本発明の一態様に係る成膜装置は、接地電位に電気的に接続されるチャンバー21と、前記チャンバー内に配置されたターゲットTGと、前記ターゲットに高周波電力を供給する電力供給部32と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部23,24と、前記チャンバー内に配置され、基板SBを前記ターゲットに対向させて保持する絶縁性基板保持部25bと、前記絶縁性基板保持部を支持する導電性支持部42と、前記導電性支持部と前記チャンバーとの間に配置された第1絶縁性部材53と、を有し、前記導電性支持部は前記第1絶縁性部材によって前記チャンバーに対して電気的に浮遊しており、前記基板の外周部が前記絶縁性基板保持部と接触することで、前記絶縁性基板保持部に前記基板が保持され、前記基板は前記導電性支持部に対して電気的に浮遊しており、前記絶縁性基板保持部は、平面視において前記基板の中央部と重ならない。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)