此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2018189965) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/189965 国际申请号: PCT/JP2017/046927
公布日: 18.10.2018 国际申请日: 27.12.2017
国际专利分类:
G09F 9/30 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01)
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
F
显示;广告;标记;标签或铭牌;印鉴
9
采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置
30
由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
34
溅射
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
1362
有源矩阵寻址单元
1368
其中开关元件为三电极装置
H 电学
01
基本电气元件
B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
1
按导电材料特性区分的导体或导电物体;用作导体的材料选择
02
主要由金属或合金组成的
H 电学
01
基本电气元件
B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
5
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
306
化学或电处理,例如电解腐蚀
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
306
化学或电处理,例如电解腐蚀
3065
等离子腐蚀;活性离子腐蚀
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
3205
非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层或电阻层;这些层的后处理
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
71
限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造
768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
532
按材料特点进行区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
28
包括使用有机材料作为有源部分,或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件
32
具有专门适用于光发射的组件,例如使用有机发光二极管的平板显示器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
02
零部件
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
02
零部件
06
电极端接头
申请人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
发明人:
高澤 悟 TAKASAWA Satoru; JP
中台 保夫 NAKADAI Yasuo; JP
新田 純一 NITTA Junichi; JP
石橋 暁 ISHIBASHI Satoru; JP
代理人:
石島 茂男 ISHIJIMA Shigeo; JP
阿部 英樹 ABE Hideki; JP
优先权数据:
2017-07999113.04.2017JP
标题 (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRING FILM, WIRING SUBSTRATE, AND TARGET
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, FILM DE CÂBLAGE, SUBSTRAT DE CÂBLAGE ET CIBLE
(JA) 液晶表示装置、有機EL表示装置、半導体素子、配線膜、配線基板、ターゲット
摘要:
(EN) Provided are: a wiring film which is able to be patterned by a single etching process, and which exhibits strong adhesion to a resin substrate; a semiconductor element which uses this wiring film; and a display device. According to the present invention, a base film 21 that is in contact with a resin substrate 30 is a copper thin film which contains, at a predetermined ratio, aluminum that is a main additive metal and silicon, titanium or nickel that is a secondary additive metal, and which exhibits strong adhesion to resins. Consequently, wiring line films 31, 32 (a gate electrode layer 32) do not separate from the resin substrate 30. In addition, since the base film 21 and a low resistance film 22 contain a large amount of copper, the base film 21 and the low resistance film 22 are able to be etched together by means of an etchant or an etching gas by which copper is etched. Consequently, the wiring line films 31, 32 are able to be patterned by a single etching process.
(FR) L'invention porte : sur un film de câblage qui peut être décoré d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure et qui présente une forte adhérence à un substrat de résine ; sur un élément semi-conducteur qui utilise ce film de câblage ; et sur un dispositif d'affichage. Selon la présente invention, un film de base (21) qui est en contact avec un substrat de résine (30), est un film mince de cuivre qui contient, selon un rapport prédéterminé, de l'aluminium qui est un métal additif principal, et du silicium, du titane ou du nickel qui est un métal additif secondaire, et qui présente une forte adhérence aux résines. Par conséquent, des films de ligne de câblage (31, 32) (une couche d'électrode de grille (32)) ne sont pas séparés du substrat de résine (30). De plus, puisque le film de base (21) et un film à faible résistance (22) contiennent une grande quantité de cuivre, le film de base (21) et le film à faible résistance (22) peuvent être gravés ensemble au moyen d'un agent de gravure ou d'un gaz de gravure au moyen duquel le cuivre est gravé. Par conséquent, les films de ligne de câblage (31, 32) peuvent être décorés d'un motif au moyen d'un seul processus de gravure.
(JA) 1回のエッチングによってパターニングすることができ、樹脂基板に対する付着力が強い配線膜とその配線膜を用いた半導体素子、表示装置を提供する。樹脂基板30に接触した下地膜21は、主添加金属であるアルミニウムと、副添加金属であるシリコン、チタン又はニッケルを所定割合含有する銅薄膜であり、樹脂に対する付着力が強いので、配線膜31、32(ゲート電極層32)は樹脂基板30から剥離しない。また、下地膜21と低抵抗膜22とは銅を多く含有するので、銅をエッチングするエッチャント又はエッチングガスによって一緒にエッチングすることができるので、配線膜31、32は1回のエッチングによってパターンニングすることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)