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1. (WO2018189964) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/189964 国际申请号: PCT/JP2017/046623
公布日: 18.10.2018 国际申请日: 26.12.2017
国际专利分类:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
78
把衬底连续地分成多个独立的器件
82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
822
衬底是采用硅工艺的半导体的
8232
场效应工艺
8234
MIS technology
8239
存储器结构
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
10
在重复结构中包括有多个独立组件的
105
包含场效应组件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
82
通过施加于器件的磁场变化可控的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
08
磁场控制的电阻器
申请人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
发明人:
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
柴田 竜雄 SHIBATA Tatsuo; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
优先权数据:
2017-08041314.04.2017JP
标题 (EN) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
(FR) PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ANALOGIQUE, PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UNE MÉMOIRE ANALOGIQUE, CIRCUIT LOGIQUE NON VOLATILE ET NEURO-ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁壁利用型アナログメモリ素子、磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子
摘要:
(EN) The magnetic domain wall utilizing analog memory element according to one mode of the present invention comprises: a magnetized fixed layer (1) wherein the magnetization is oriented in a first direction; a non-magnetic layer (2) provided on one surface of the magnetized fixed layer (1); a magnetic domain wall drive layer (3) provided relative to the magnetized fixed layer (1) such that the non-magnetic layer (2) is held therebetween; a first magnetization supply means (4) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in the first direction; and a second magnetization supply means (5) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in a second direction opposite the first direction. At least one among the first magnetization supply means (4) and the second magnetization supply means (5) is in contact with the magnetic domain wall drive layer (3), and is a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the magnetic domain wall drive layer (3).
(FR) La paroi de domaine magnétique utilisant un élément de mémoire analogique selon un mode de la présente invention comprend : une couche fixe magnétisée (1) dans laquelle la magnétisation est orientée dans une première direction; une couche non magnétique (2) disposée sur une surface de la couche fixe magnétisée (1); une couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) disposée par rapport à la couche fixe magnétisée (1) de telle sorte que la couche non magnétique (2) est maintenue entre celles-ci; un premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans la première direction; et un second moyen d'alimentation en magnétisation (5) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans une seconde direction opposée à la première direction. Au moins l'un parmi le premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) et le second moyen d'alimentation en magnétisation (5) est en contact avec la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3), et est un câblage de couple spin-orbite s'étendant dans une direction croisant la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3).
(JA) 本発明の一態様にかかる磁壁利用型アナログメモリ素子は、第1の方向に磁化が配向した磁化固定層(1)と、磁化固定層(1)の一面に設けられた非磁性層(2)と、磁化固定層(1)に対して非磁性層(2)を挟んで設けられた磁壁駆動層(3)と、磁壁駆動層(3)に第1の方向に配向した磁化を供給する第1磁化供給手段(4)及び第1の方向と反対の第2の方向に配向した磁化を供給する第2磁化供給手段(5)と、を備え、第1磁化供給手段(4)及び第2磁化供給手段(5)のうち少なくとも一方は、磁壁駆動層(3)に接し、磁壁駆動層(3)に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)
也发表为:
CN109643690US20190189516