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1. (WO2018186389) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/186389 国际申请号: PCT/JP2018/014250
公布日: 11.10.2018 国际申请日: 03.04.2018
国际专利分类:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
42
专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
14
包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
144
由辐射控制的器件
146
图像结构
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
08
其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
10
特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
申请人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
发明人:
吉岡 知昭 YOSHIOKA Tomoaki; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
野村 公篤 NOMURA Kimiatsu; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
优先权数据:
2017-07654007.04.2017JP
2018-01036525.01.2018JP
标题 (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PHOTODÉTECTEUR ET ÉLÉMENT IMAGEUR
(JA) 光電変換素子、光センサ、および、撮像素子
摘要:
(EN) The present invention provides: a photoelectric conversion element which has excellent responsivity, while exhibiting excellent dark current characteristics in cases where a photoelectric conversion film is formed at a high rate; a photosensor and an imaging element, each of which comprises this photoelectric conversion element; and a compound. A photoelectric conversion element according to the present invention sequentially comprises a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order; and the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) and an n-type organic semiconductor that has a specific structure.
(FR) La présente invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui présente une excellente sensibilité, tout en présentant d'excellentes caractéristiques de courant d'obscurité dans des cas où un film de conversion photoélectrique est formé à grande vitesse; un photodétecteur et un élément imageur, dont chacun comprend cet élément de conversion photoélectrique; et un composé. Un élément de conversion photoélectrique conforme à la présente invention comprend séquentiellement un film conducteur, un film de conversion photoélectrique et un film conducteur transparent dans cet ordre; et le film de conversion photoélectrique contient un composé représenté par la formule (1) et un semi-conducteur organique de type n qui présente une structure spécifique.
(JA) 本発明は優れた応答性、および、光電変換膜を高速成膜した場合において優れた暗電流特性を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、および、所定の構造を有するn型有機半導体を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)