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1. (WO2018180842) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/180842 国际申请号: PCT/JP2018/011294
公布日: 04.10.2018 国际申请日: 22.03.2018
国际专利分类:
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01)
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
F
显示;广告;标记;标签或铭牌;印鉴
9
采用选择或组合单个部件在支架上建立信息的可变信息的指示装置
30
由组合单个部件所形成的符号所需的字符或字符组
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
1333
构造上的设备
1343
电极
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
1362
有源矩阵寻址单元
1368
其中开关元件为三电极装置
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
28
包括使用有机材料作为有源部分,或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件
32
具有专门适用于光发射的组件,例如使用有机发光二极管的平板显示器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
02
零部件
申请人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
发明人:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
优先权数据:
2017-06535529.03.2017JP
标题 (EN) TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT TFT, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) TFT基板、TFT基板の製造方法、表示装置
摘要:
(EN) The present invention achieves stable connection, in a TFT substrate including a semiconductor film in each of a lower layer part and an upper layer part thereof, between a conductor in the lower layer part and a conductor in the upper layer part. The substrate is provided thereon with: a first semiconductor film (6) that functions as a channel for TFT; a first conductor (M1) that is disposed in a layer above the first semiconductor film; an interlayer insulating film (18) that is disposed in a layer above the first conductor; a second semiconductor film (26) that is disposed in a layer above the interlayer insulating film; a second conductor (J2) that is disposed in a layer above the second semiconductor film; an organic insulating film (32) that is disposed in a layer above the second conductor; a third conductor (M3) that is disposed in a layer above the organic insulating film; and a contact hole (CH) that extends through a through-hole (H32) in the organic insulating film and a through-hole (H18) in the interlayer insulating film and reaches the first conductor, wherein the second conductor (J2) and the third conductor (M3) are formed so as to overlap the opening plane (K) of the contact hole, and the third conductor (M3) is in contact with the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
(FR) La présente invention réalise une connexion stable, dans un substrat TFT comprenant un film semi-conducteur dans une partie de couche inférieure et une partie de couche supérieure de ce dernier, entre un conducteur dans la partie de couche inférieure et un conducteur dans la partie de couche supérieure. Le substrat est pourvu : d'un premier film semi-conducteur (6) qui fonctionne comme un canal pour TFT ; d'un premier conducteur (M1) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier film semi-conducteur ; un film isolant intercouche (18) qui est disposé dans une couche au-dessus du premier conducteur ; un second film semi-conducteur (26) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant intercouche ; un second conducteur (J2) qui est disposé dans une couche au-dessus du second film semi-conducteur ; un film isolant organique (32) qui est disposé dans une couche au-dessus du second conducteur ; un troisième conducteur (M3) qui est disposé dans une couche au-dessus du film isolant organique ; et un trou de contact (CH) qui s'étend à travers un trou traversant (H32) dans le film isolant organique et un trou traversant (H18) dans le film isolant intercouche et qui atteint le premier conducteur, le second conducteur (J2) et le troisième conducteur (M3) étant formés de manière à chevaucher le plan d'ouverture (K) du trou de contact, et le troisième conducteur (M3) est en contact avec le premier conducteur (M1) et le second conducteur (J2).
(JA) 下層部および上層部それぞれに半導体膜を含むTFT基板において、下層部の導電体と上層部の導電体との安定的な接続を図る。基板上に、TFTのチャネルとして機能する第1半導体膜(6)と、第1半導体膜よりも上層の第1導電体(M1)と、第1導電体よりも上層の層間絶縁膜(18)と、層間絶縁膜よりも上層の第2半導体膜(26)と、第2半導体膜よりも上層の第2導電体(J2)と、第2導電体よりも上層の有機絶縁膜(32)と、有機絶縁膜よりも上層の第3導電体(M3)と、有機絶縁膜のスルーホール(H32)および層間絶縁膜のスルーホール(H18)を通って第1導電体に到るコンタクトホール(CH)とを備え、第2導電体(J2)および第3導電体(M3)がコンタクトホールの開口面(K)と重なるように形成され、第3導電体(M3)が第1導電体(M1)および第2導電体(J2)と接触する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)