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1. (WO2018180663) PLASMA TREATMENT METHOD
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公布号: WO/2018/180663 国际申请号: PCT/JP2018/010697
公布日: 04.10.2018 国际申请日: 19.03.2018
国际专利分类:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
306
化学或电处理,例如电解腐蚀
3065
等离子腐蚀;活性离子腐蚀
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
304
机械处理,例如研磨、抛光、切割
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
H
等离子体技术;加速的带电粒子或中子的产生;中性分子或原子射束的产生或加速
1
等离子体的产生;等离子体的处理
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
H
等离子体技术;加速的带电粒子或中子的产生;中性分子或原子射束的产生或加速
1
等离子体的产生;等离子体的处理
24
等离子体的产生
46
应用外加电磁场的,例如高频能或微波能
申请人:
株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
发明人:
廣田 侯然 HIROTA, Kosa; JP
角屋 誠浩 SUMIYA, Masahiro; JP
中宇禰 功一 NAKAUNE, Koichi; JP
玉利 南菜子 TAMARI, Nanako; JP
井上 智己 INOUE, Satomi; JP
中元 茂 NAKAMOTO, Shigeru; JP
代理人:
特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho; JP
优先权数据:
2017-06035327.03.2017JP
标题 (EN) PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法
摘要:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma treatment method for plasma etching a wafer such as a semiconductor substrate, wherein composite deposits of a metal and a non-metal that are deposited within a treatment chamber due to a wafer etching process can be removed and the generation of foreign contaminants due to the deposits can be reduced. Provided is a plasma treatment method in which a sample is plasma etched in a treatment chamber and the inside of the treatment chamber is plasma cleaned, the plasma treatment method is characterized: by comprising an etching step in which a prescribed number of the samples are plasma etched, a metal removal step in which, after the etching step, a deposition film containing a metallic element is removed using a plasma, and a non-metal removal step in which a deposition film containing a non-metallic element is removed using a plasma which differs from the plasma used in the metal removal step; and in that the metal removal step and the non-metal removal step are repeated at least two times.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de traitement au plasma pour la gravure au plasma d'une tranche telle qu'un substrat semi-conducteur, grâce auquel des dépôts composites d'un métal et d'un non-métal, qui sont déposés à l'intérieur d'une chambre de traitement sous l'effet d'un processus de gravure de tranche, peuvent être éliminés et la production de contaminants étrangers due aux dépôts peut être réduite. À cet effet, l'invention concerne un procédé de traitement au plasma dans lequel un échantillon est gravé au plasma dans une chambre de traitement et dans lequel l'intérieur de la chambre de traitement est nettoyé au plasma, le procédé de traitement au plasma se caractérisant : en ce qu'il comprend une étape de gravure dans laquelle un nombre prescrit des échantillons sont gravés au plasma, une étape d'élimination de métal dans laquelle, après l'étape de gravure, un film de dépôt contenant un élément métallique est retiré à l'aide d'un plasma, et une étape de retrait de non-métal, dans laquelle un film de dépôt contenant un élément non métallique est retiré à l'aide d'un plasma qui diffère du plasma utilisé dans l'étape d'élimination de métal ; et en ce que l'étape d'élimination de métal et l'étape de retrait de non-métal sont répétées au moins deux fois.
(JA) 本発明の目的は、半導体基板等のウエハをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、ウエハのエッチング処理によって処理室内に堆積する金属と非金属の複合堆積物を除去し、堆積物による異物の発生を低減することのできるプラズマ処理方法を提供する。 本発明は、処理室内にて試料をプラズマエッチングし前記処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法において、前記試料を所定枚数プラズマエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程後、プラズマを用いて金属元素を含有する堆積膜を除去する金属除去工程と、前記金属除去工程のプラズマと異なるプラズマを用いて非金属元素を含有する堆積膜を除去する非金属除去工程を有し、前記金属除去工程と前記非金属除去工程とを2回以上繰り返すことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)
也发表为:
KR1020180122600