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1. (WO2018179379) REFLECTION SUPPRESSING DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2018/179379 国际申请号: PCT/JP2017/013725
公布日: 04.10.2018 国际申请日: 31.03.2017
国际专利分类:
G01V 3/12 (2006.01)
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
V
地球物理;重力测量;物质或物体的探测;示踪物
3
电或磁的勘探或探测;;地磁场特性的测量;例如,磁偏角或磁偏差
12
利用电磁波操作
申请人:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
发明人:
田能村 昌宏 TANOMURA, Masahiro; JP
代理人:
特許業務法人ブライタス BRIGHTAS IP ATTORNEYS; 大阪府大阪市北区曽根崎2丁目5番10号 2-5-10, Sonezaki, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300057, JP
优先权数据:
标题 (EN) REFLECTION SUPPRESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SUPPRESSION DE RÉFLEXION
(JA) 反射抑制装置
摘要:
(EN) A reflection suppressing device 100 is a device for suppressing reflection of electromagnetic waves between two media. The reflection suppressing device 100 is provided with: a first dielectric layer 10; a second dielectric layer 20; and an intermediate dielectric layer 30 positioned between the first dielectric layer 10 and the second dielectric layer 20. Each of the first dielectric layer 10 and the second dielectric layer 20 has a metal layer 11 or 21, and the intermediate dielectric layer 30 is formed such that the specific dielectric constant thereof is higher than the specific dielectric constant of the first dielectric layer 10 and/or the specific dielectric constant of the second dielectric layer 20.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de suppression de réflexion (100) qui est un dispositif permettant de supprimer la réflexion d'ondes électromagnétiques entre deux milieux. Le dispositif de suppression de réflexion (100) comprend : une première couche diélectrique (10) ; une seconde couche diélectrique (20) ; et une couche diélectrique intermédiaire (30) positionnée entre la première couche diélectrique (10) et la seconde couche diélectrique (20). Chaque couche parmi la première couche diélectrique (10) et la seconde couche diélectrique (20) comporte une couche métallique (11) ou (21), et la couche diélectrique intermédiaire (30) est formée de sorte que sa constante diélectrique spécifique est supérieure à la constante diélectrique spécifique de la première couche diélectrique (10) et/ou à la constante diélectrique spécifique de la seconde couche diélectrique (20).
(JA) 反射抑制装置100は、2つの媒質間での電磁波の反射を抑制するための装置である。反射抑制装置100は、第1の誘電体層10と、第2の誘電体層20と、第1の誘電体層10及び第2の誘電体層20の間に位置する中間誘電体層30とを備える。第1の誘電体層10及び第2の誘電体層20は、それぞれ金属層11または21を有し、中間誘電体層30は、その比誘電率が、第1の誘電体層10の比誘電率及び第2の誘電体層20の比誘電率の少なくとも一方よりも大きくなるように、形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)