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1. (WO2018159225) SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND READING METHOD
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公布号: WO/2018/159225 国际申请号: PCT/JP2018/003823
公布日: 07.09.2018 国际申请日: 05.02.2018
国际专利分类:
G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/08 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
7
数字存储器信息的写入或读出装置
06
读出放大器;相关的电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
7
数字存储器信息的写入或读出装置
06
读出放大器;相关的电路
08
其控制
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
13
特征在于使用不包括在G11C 11/00,G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器
申请人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
发明人:
黒田 真実 KURODA, Masami; JP
代理人:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
优先权数据:
2017-04074003.03.2017JP
标题 (EN) SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INFORMATION PROCESSING DEVICE, AND READING METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION, DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'INFORMATIONS ET PROCÉDÉ DE LECTURE
(JA) センスアンプ、半導体記憶装置、情報処理装置及び読み出し方法
摘要:
(EN) [Problem] To provide a sense amplifier that enables a semiconductor memory device to have a larger capacity, higher speed, and higher data rate. [Solution] A sense amplifier according to the present invention is provided with: first and second inverters that have a switch for controlling an active state and a non-active state and in which respective inputs and outputs are cross-coupled; and first and second switches for switching between connection and disconnection of an input from a memory element on the respective cross-coupled signal lines.
(FR) [Problème] Fournir un amplificateur de détection qui permet à un dispositif de mémoire à semi-conducteurs de comporter d'une plus grande capacité, d'une vitesse plus élevée et d'un débit de données plus élevé. La solution selon la présente invention porte sur un amplificateur de détection qui comprend : des premier et second onduleurs qui comportent un commutateur afin de commander un état actif et un état non actif et dans lesquels des entrées et des sorties respectives sont couplées en croix ; et des premier et second commutateurs pour commuter entre la connexion et la déconnexion d'une entrée d'un élément de mémoire sur les lignes de signal couplées transversalement respectives.
(JA) 【課題】半導体記憶装置の大容量化や高速化、データレート向上を実現することが可能なセンスアンプを提供する。 【解決手段】活性状態と非活性状態とを制御するスイッチを備え、それぞれの入力と出力とがクロスカップル接続された第1及び第2のインバータと、前記クロスカップルされた信号線のそれぞれに、記憶素子からの入力に対する接続と遮断とを切り替える第1及び第2のスイッチと、を備える、センスアンプが提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)