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1. (WO2018155034) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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公布号: WO/2018/155034 国际申请号: PCT/JP2018/001729
公布日: 30.08.2018 国际申请日: 22.01.2018
国际专利分类:
C01G 33/00 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C 化学;冶金
01
、C07、C08 无机、有机或有机高分子化合物;其制备或分离的方法
G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
33
铌的化合物
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
申请人:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1,Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
发明人:
菊地 直人 KIKUCHI, Naoto; JP
相浦 義弘 AIURA, Yoshihiro; JP
三溝 朱音 SAMIZO, Akane; JP
池田 紳太郎 IKEDA, Shintarou; JP
代理人:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
优先权数据:
2017-03211323.02.2017JP
标题 (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化物半導体及び半導体装置
摘要:
(EN) Provided are: an oxide semiconductor device capable of providing a p-type semiconductor in an oxide semiconductor and having excellent transparency, mobility, and weather resistance; and a semiconductor device comprising said oxide semiconductor. This oxide semiconductor has a crystal structure including a fordite structure, comprises a composite oxide including elements Nb and Sn , and has positive holes that serve as charge carriers as a result of Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), which is the Sn4+ ratio relative to the total Sn content in the composite oxide, being 0.006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0.013.
(FR) L'invention concerne : un dispositif semi-conducteur d'oxyde capable de fournir un semi-conducteur de type p dans un semi-conducteur d'oxyde et ayant une excellente transparence, une excellente mobilité et une excellente résistance aux intempéries; et un dispositif semi-conducteur comprenant ledit semi-conducteur d'oxyde. Ce semi-conducteur d'oxyde a une structure cristalline comprenant une structure fordite, comprend un oxyde composite comprenant des éléments Nb et Sn, et présente des trous positifs qui servent de porteurs de charge en raison de Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), qui est le rapport de Sn4+ par rapport à la teneur totale en Sn dans l'oxyde composite, étant 0,006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0,013.
(JA) 酸化物半導体においてp型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性等の優れた酸化物半導体及び該酸化物半導体を備える半導体装置を提供する。フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Nb元素とSn元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Sn量に対するSn4+の割合であるSn4+/(Sn2++Sn4+)が0.006≦Sn4+/(Sn2++Sn4+)≦0.013であることにより、正孔が荷電担体となる酸化物半導体を実現する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)