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1. (WO2018147202) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
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公布号: WO/2018/147202 国际申请号: PCT/JP2018/003691
公布日: 16.08.2018 国际申请日: 02.02.2018
国际专利分类:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
42
专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
14
包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
144
由辐射控制的器件
146
图像结构
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
31
对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件
08
其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
10
特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的,例如光敏晶体管
申请人:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
发明人:
高橋 哲生 TAKAHASHI Tetsuo; JP
塩原 悟 SHIOBARA Satoru; JP
鎌谷 淳 KAMATANI Jun; JP
山田 直樹 YAMADA Naoki; JP
山口 智奈 YAMAGUCHI Tomona; JP
大類 博揮 OHRUI Hiroki; JP
岩脇 洋伸 IWAWAKI Hironobu; JP
板橋 真澄 ITABASHI Masumi; JP
西出 洋祐 NISHIDE Yosuke; JP
宮下 広和 MIYASHITA Hirokazu; JP
梶本 典史 KAJIMOTO Norifumi; JP
野口 萌恵 NOGUCHI Moe; JP
河田 功 KAWATA Isao; JP
伊藤 祐斗 ITO Yuto; JP
代理人:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
优先权数据:
2017-02023907.02.2017JP
2017-22168417.11.2017JP
2017-25092927.12.2017JP
标题 (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, CAPTEUR À ZONE OPTIQUE L'UTILISANT, ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子、及びこれを用いた光エリアセンサ、撮像素子、撮像装置
摘要:
(EN) Provided is a photoelectric conversion element that includes: an anode; a photoelectric conversion layer comprising a first organic semiconductor, a second organic semiconductor, and a third organic semiconductor; and a cathode. The first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor are all low-molecular organic semiconductors; the mass ratio thereof satisfies the first organic semiconductor ≥ second organic semiconductor ≥ third organic semiconductor; and when the sum of the first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor is 100 mass%, the content of the second organic semiconductor is 6 mass% or more, and the content of the third organic semiconductor is 3 mass% or more.
(FR) L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une anode; une couche de conversion photoélectrique comprenant un premier semiconducteur organique, un second semiconducteur organique et un troisième semiconducteur organique; et une cathode. Le premier semiconducteur organique, le second semiconducteur organique et le troisième semiconducteur organique sont tous des semiconducteurs organiques à faible masse moléculaire; dont le rapport en masse satisfait : le premier semiconducteur organique ≥ second semiconducteur organique ≥ troisième semiconducteur organique; et lorsque la somme du premier semiconducteur organique, second semiconducteur organique et troisième semiconducteur organique est de 100 % en masse, la teneur du second semiconducteur organique est inférieure ou égale à 6 % en masse, et la teneur du troisième semiconducteur organique est supérieure ou égale à 3 % en masse.
(JA) アノードと、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体とからなる光電変換層と、カソードとを有する光電変換素子において、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体としていずれも低分子有機半導体を用い、質量比を第一の有機半導体≧第二の有機半導体≧第三の有機半導体とし、さらに、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体の合計を100質量%とした時、第二の有機半導体の含有量を6質量%以上、第三の有機半導体の含有量を3質量%以上とする光電変換素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)