WO2018138370 SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP

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1. (WO2018138370) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP

国际局存档的最新著录项目数据

公布号：	WO/2018/138370	国际申请号：	PCT/EP2018/052198
公布日：	02.08.2018	国际申请日：	30.01.2018

国际专利分类：

H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)

申请人：

OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE

发明人：

HAIBERGER, Luca; DE

代理人：

PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE

优先权数据：

10 2017 101 762.3		30.01.2017		DE
10 2017 106 776.0		29.03.2017		DE

标题

(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HALBLEITERCHIP

摘要：

(EN) The invention relates to a semiconductor component (1) having a radiation-emitting semiconductor chip (2), wherein the semiconductor chip (2) is designed to generate a primary radiation, wherein the semiconductor chip (2) is covered by a first layer (11) having conversion material (18), wherein the conversion material (18) is designed to absorb the primary radiation and to emit a secondary radiation, wherein a conversion element (23) is arranged on the first layer (11), wherein the conversion element (23) has semiconductor layers (27), wherein the semiconductor layers (27) are designed to absorb the primary radiation and to emit a tertiary radiation.
(FR) L'invention concerne une composant semi-conducteur (1) comprenant une puce semi-conductrice (2) émettrice de rayonnement, cette puce semi-conductrice (2) étant conçue pour générer un rayonnement primaire. Ladite puce semi-conductrice (2) est recouverte d'une première couche (11) comprenant une matière de conversion (18), cette matière de conversion (18) étant conçue pour absorber le rayonnement primaire et émettre un rayonnement secondaire. Un élément de conversion (23) est disposé sur la première couche (11), cet élément de conversion (23) présentant des couches de semi-conducteur (27). Ces couches de semi-conducteur (27) sont conçues pour absorber le rayonnement primaire et émettre un rayonnement tertiaire.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), wobei der Halb- leiterchip (2) ausgebildet ist, um eine Primärstrahlung zu erzeugen, wobei der Halbleiterchip (2) mit einer ersten Schicht (11) mit Konversionsmaterial (18) bedeckt ist, wobei das Konversionsmaterial (18) ausgebildet ist, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Sekundärstrahlung abzugeben, wobei auf der ersten Schicht (11) ein Konversionselement (23) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (23) Halbleiterschichten (27) aufweist, wobei die Halbleiterschichten (27) ausgebildet sind, um die Primärstrahlung zu absorbieren und eine Tertiärstrahlung zu emittieren.

指定国：

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

公布语言：

德语 (DE)

申请语言：

德语 (DE)

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