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1. (WO2018130954) SEMICONDUCTOR DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/130954 国际申请号: PCT/IB2018/050160
公布日: 19.07.2018 国际申请日: 11.01.2018
国际专利分类:
G09G 3/36 (2006.01) ,G02F 1/133 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,G09G 3/30 (2006.01) ,G09G 3/3258 (2016.01) ,G11C 19/28 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
G
对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路
3
仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路
20
用于显示许多字符的组合,例如用排列成矩阵的单个元件组成系统构成的页面
34
采用控制从独立光源的发光
36
采用液晶
G PHYSICS
02
光学
F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
1
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
G
对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路
3
仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路
20
用于显示许多字符的组合,例如用排列成矩阵的单个元件组成系统构成的页面
G PHYSICS
09
教育;密码术;显示;广告;印鉴
G
对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路
3
仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路
20
用于显示许多字符的组合,例如用排列成矩阵的单个元件组成系统构成的页面
22
采用受控制光源
30
采用电发光面板
[IPC code unknown for G09G 3/3258]
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
19
所存储的信息是步进移动的数字存储器,例如,移位寄存器
28
应用半导体元件的
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
77
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78
with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82
to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822
the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232
Field-effect technology
8234
MIS technology
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
08
只包括有一种半导体组件的
085
只包含场效应的组件
088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
28
包括使用有机材料作为有源部分,或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件
32
具有专门适用于光发射的组件,例如使用有机发光二极管的平板显示器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
申请人:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase Atsugi-Shi, Kanagawa 2430036, JP
发明人:
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
优先权数据:
2017-00487116.01.2017JP
2017-00487216.01.2017JP
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
摘要:
(EN) Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device has a function whereby the pixel selection intervals are changed according to the distance from a drive circuit. Specifically, if the distance between a first pixel and the drive circuit is longer than the distance between a second pixel and the drive circuit, the pulse width of the selection signals supplied to the first pixel is set so as to be greater than the pulse width of the selection signals supplied to the second pixel. As a result, it is possible accurately write image signals to pixels provided at positions far from the drive circuit while also maintaining a short selection interval for pixels provided at positions close to the drive circuit.
(FR) L’invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteurs. Une fonction du dispositif à semi-conducteurs permet de changer les intervalles de sélection de pixel en fonction de la distance à un circuit d'attaque. En particulier, si la distance entre un premier pixel et le circuit d'attaque est supérieure à la distance entre un second pixel et le circuit d'attaque, la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au premier pixel est réglée de manière à être supérieure à la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au second pixel. Par conséquent, il est possible d'écrire avec précision des signaux d'image sur des pixels disposés à des positions éloignées du circuit d'attaque tout en maintenant un intervalle de sélection court pour des pixels disposés à des positions proches du circuit d'attaque.
(JA) 新規な半導体装置の提供。 半導体装置が、画素の選択期間を、駆動回路からの距離に応じて変化させる機能を有する。具体的には、第1の画素と駆動回路の距離が、第2の画素と駆動回路の距離よりも長い場合に、第1の画素に供給される選択信号のパルス幅が、第2の画素に供給される選択信号のパルス幅よりも大きく設定される。これにより、駆動回路から近い位置に設けられた画素の選択期間を短く維持しつつ、駆動回路から遠い位置に設けられた画素への映像信号の書き込みを正確に行うことができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)