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1. (WO2018123166) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
国际局存档的最新著录项目数据提交意见

公布号: WO/2018/123166 国际申请号: PCT/JP2017/034250
公布日: 05.07.2018 国际申请日: 22.09.2017
国际专利分类:
H01L 21/308 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
306
化学或电处理,例如电解腐蚀
308
应用掩膜的
申请人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
发明人:
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
高橋 健一 TAKAHASHI Kenichi; JP
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
伊藤 彩 ITO Aya; JP
代理人:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
优先权数据:
2016-25054526.12.2016JP
标题 (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE HUMIDE POUR SUBSTRAT AYANT UNE COUCHE DE SiN ET UNE COUCHE DE Si ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE L'UTILISANT
(JA) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
摘要:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, containing 0.1-50 wt. % of a fluorine compound (A), 0.04-10 wt. % of an oxidizer (B), and water (D), and having a pH in the range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching method for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, using the wet etching composition. Using the composition according to the present invention enables an increase in the selectability of removal of Si relative to SiN in substrates having a SiN layer and a Si layer, while reducing corrosion of equipment and exhaust lines by volatile components produced during use, air pollution, and the environmental burden of the nitrogen in the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de gravure humide pour un substrat ayant une couche de SiN et une couche de Si, contenant 0,1 à 50 % en poids. d'un composé de fluor (A), 0,04 à 10 % en poids d'un oxydant (B), et de l'eau (D), et ayant un pH dans la plage de 2,0 à 5,0. La présente invention concerne également un procédé de gravure humide pour un substrat semiconducteur ayant une couche de SiN et une couche de Si, utilisant la composition de gravure humide. L'utilisation de la composition selon la présente invention permet une augmentation de la sélectivité de l'élimination du Si par rapport au SiN dans des substrats ayant une couche de SiN et une couche de Si, tout en réduisant la corrosion de l'équipement et des lignes d'échappement par des composants volatils produits pendant l'utilisation, la pollution de l'air et la charge environnementale de l'azote dans la composition.
(JA) 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1~50質量%、酸化剤(B)を0.04~10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0~5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)
也发表为:
CN108513679KR1020180087420EP3389083US20190040317