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1. (WO2018101814) MONOLITHIC INTEGRATED DEVICE
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公布号: WO/2018/101814 国际申请号: PCT/MY2017/050071
公布日: 07.06.2018 国际申请日: 15.11.2017
国际专利分类:
H01L 41/27 (2013.01) ,H01L 41/311 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/053 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01)
申请人: SILTERRA MALAYSIA SDN. BHD.[MY/MY]; Lot 8, Phase Ii Kulim Hi-tech Park 09000 Kulim Kedah, MY
发明人: SOUNDARA PANDIAN, Mohanraj; MY
TAY, Wee Song; MY
MADHAVEN, Venkatesh; MY
KANTIMAHANTI, Arjun Kumar; MY
代理人: LOK, Choon Hong; MY
优先权数据:
PI 201670444230.11.2016MY
标题 (EN) MONOLITHIC INTEGRATED DEVICE
(FR) DISPOSITIF INTÉGRÉ MONOLITHIQUE
摘要: front page image
(EN) This disclosure describes a monolithic integrated device having an architecture that allows the acoustic device to transduce either the surface acoustic waves or the bulk acoustic waves. The monolithic integrated device comprises a substrate layer (101) being the base of the device; an inter-layer dielectric (102) disposed on top of the substrate layer (101); an electronic circuitry substantially formed in the inter-layer dielectric (102) and supported by the substrate layer (101), the electronic circuitry comprises a plurality of metal layers formed by one or more spaced apart metals (204); and a piezoelectric (301) being sandwiched between a top electrode and a bottom electrode within the inter-layer dielectric. The top electrode is a metal (204) of an upper metal layer belonging to the electronic circuitry and the bottom electrode is a metal (204) of a lower metal layer belonging to the electronic circuitry. In order to transduce bulk acoustic waves, the inter-layer dielectric is formed with a top cavity (105) above the top electrode and a bottom cavity (106) below the bottom electrode.
(FR) La présente invention concerne un dispositif intégré monolithique ayant une architecture qui permet au dispositif acoustique de capter-convertir soit les ondes acoustiques de surface, soit les ondes acoustiques de volume. Le dispositif intégré monolithique comprend : une couche de substrat (101) en tant que base ; un diélectrique de couche intermédiaire (102) disposé sur la couche de substrat (101) ; un circuit électronique sensiblement formé dans le diélectrique de couche intermédiaire (102) et porté par la couche de substrat (101), le circuit électronique comprenant une pluralité de couches métalliques constituées d'un ou de plusieurs métaux espacés (204) ; un élément piézoélectrique (301) pris en sandwich entre des électrodes supérieure et inférieure dans le diélectrique de couche intermédiaire. L'électrode supérieure est un métal (204) d'une couche métallique supérieure appartenant au circuit électronique et l'électrode inférieure est un métal (204) d'une couche métallique inférieure appartenant au circuit électronique. Afin de capter-convertir des ondes acoustiques de volume, le diélectrique de couche intermédiaire est pourvu d'une cavité supérieure (105) au-dessus de l'électrode supérieure et d'une cavité inférieure (106) au-dessous de l'électrode inférieure.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)