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1. (WO2018101814) MONOLITHIC INTEGRATED DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2018/101814 国际申请号: PCT/MY2017/050071
公布日: 07.06.2018 国际申请日: 15.11.2017
第2章国际初步审查要求书已提交: 27.09.2018
国际专利分类:
H01L 41/27 (2013.01) ,H01L 41/311 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/053 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
22
专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备
27
制造多层压电或电致伸缩器件或其部件,例如通过堆叠压电本体和电极
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
22
专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备
31
施加压电或电致伸缩部件或本体到一个电子元件或另一个基底上
311
在一个公共衬底上与半导体元件或其它电路元件一起安装压电或电子伸缩部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
02
零部件
04
压电器件的或电致伸缩器件的
047
电极
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
41
一般压电器件;一般电致伸缩器件;一般磁致伸缩器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备;这些器件的零部件
02
零部件
04
压电器件的或电致伸缩器件的
053
安装架、支架、封装或外壳
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
50
应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
56
封装,例如密封层、涂层
申请人:
SILTERRA MALAYSIA SDN. BHD. [MY/MY]; Lot 8, Phase II Kulim Hi-Tech Park 09000 Kulim Kedah, MY
发明人:
SOUNDARA PANDIAN, Mohanraj; MY
TAY, Wee Song; MY
MADHAVEN, Venkatesh; MY
KANTIMAHANTI, Arjun Kumar; MY
代理人:
LOK, Choon Hong; MY
优先权数据:
PI 201670444230.11.2016MY
标题 (EN) MONOLITHIC INTEGRATED DEVICE
(FR) DISPOSITIF INTÉGRÉ MONOLITHIQUE
摘要:
(EN) This disclosure describes a monolithic integrated device having an architecture that allows the acoustic device to transduce either the surface acoustic waves or the bulk acoustic waves. The monolithic integrated device comprises a substrate layer (101) being the base of the device; an inter-layer dielectric (102) disposed on top of the substrate layer (101); an electronic circuitry substantially formed in the inter-layer dielectric (102) and supported by the substrate layer (101), the electronic circuitry comprises a plurality of metal layers formed by one or more spaced apart metals (204); and a piezoelectric (301) being sandwiched between a top electrode and a bottom electrode within the inter-layer dielectric. The top electrode is a metal (204) of an upper metal layer belonging to the electronic circuitry and the bottom electrode is a metal (204) of a lower metal layer belonging to the electronic circuitry. In order to transduce bulk acoustic waves, the inter-layer dielectric is formed with a top cavity (105) above the top electrode and a bottom cavity (106) below the bottom electrode.
(FR) La présente invention concerne un dispositif intégré monolithique ayant une architecture qui permet au dispositif acoustique de capter-convertir soit les ondes acoustiques de surface, soit les ondes acoustiques de volume. Le dispositif intégré monolithique comprend : une couche de substrat (101) en tant que base; un diélectrique de couche intermédiaire (102) disposé sur la couche de substrat (101); un circuit électronique sensiblement formé dans le diélectrique de couche intermédiaire (102) et porté par la couche de substrat (101), le circuit électronique comprenant une pluralité de couches métalliques constituées d'un ou de plusieurs métaux espacés (204); un élément piézoélectrique (301) pris en sandwich entre des électrodes supérieure et inférieure dans le diélectrique de couche intermédiaire. L'électrode supérieure est un métal (204) d'une couche métallique supérieure appartenant au circuit électronique et l'électrode inférieure est un métal (204) d'une couche métallique inférieure appartenant au circuit électronique. Afin de capter-convertir des ondes acoustiques de volume, le diélectrique de couche intermédiaire est pourvu d'une cavité supérieure (105) au-dessus de l'électrode supérieure et d'une cavité inférieure (106) au-dessous de l'électrode inférieure.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)