此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2018060570) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2018/060570 国际申请号: PCT/FR2017/052529
公布日: 05.04.2018 国际申请日: 21.09.2017
第2章国际初步审查要求书已提交: 27.03.2018
国际专利分类:
H01L 21/20 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
申请人:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR
发明人:
SOTTA, David; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
BETHOUX, Jean-Marc; FR
代理人:
BREESE, Pierre; FR
优先权数据:
165934329.09.2016FR
标题 (EN) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
(FR) STRUCTURE COMPRENANT DES ILOTS SEMI-CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS, PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
摘要:
(EN) The invention relates to a structure (10) for producing at least one active layer made of a III-V material (6), comprising a substrate composed of a carrier (2) having a main face, of a dielectric layer (3) located on the main face of the carrier, and of a plurality of single-crystal semiconductor islands (4) located directly on the dielectric layer (3), the islands having an upper surface in order to serve as seed for the growth of the active layer. According to the invention, the structure comprises a bonding layer (5) located between the single-crystal semiconductor islands (4), directly on the portion of the dielectric layer (3) that is not covered by the islands (4), without masking the upper surface of the islands (4), so that the dielectric layer (3) is no longer exposed to its environment.
(FR) L'invention porte sur une structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3), les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active. Selon l'invention la structure comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 法语 (FR)
申请语言: 法语 (FR)