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1. (WO2018047257) SEMICONDUCTOR DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2018/047257 国际申请号: PCT/JP2016/076331
公布日: 15.03.2018 国际申请日: 07.09.2016
国际专利分类:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
25
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
03
所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
04
不具有单独容器的器件
07
包含在H01L 29/00组类型的器件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
23
半导体或其他固态器件的零部件
48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
25
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
18
包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
H 电学
01
基本电气元件
R
导电连接;一组相互绝缘的电连接元件的结构组合;连接装置;集电器
11
有两个或两个以上分开的连接位置用来或可能用来使导电部件互连的各连接元件,例如:由电线或电缆支承并具有便于与某些其他电线;接线柱或导电部件;接线盒进行电连接的装置的电线或电缆端部部件
01
以其连接位置之间导电互连的形式或安排为特点区分的
申请人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
发明人:
藤田 重人 FUJITA, Shigeto; JP
稲口 隆 INAGUCHI, Takashi; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
优先权数据:
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
摘要:
(EN) This semiconductor device is provided with an upper electrode which is provided above a lower electrode, a semiconductor chip which is provided between the lower electrode and the upper electrode, a pressure pad which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip, and a spiral conductor which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip and the pressure pad. The spiral conductor comprises an upper spiral conductor and a lower spiral conductor which contacts the bottom end of the upper spiral conductor and faces the upper spiral conductor. By forming a groove in the upper spiral conductor and the lower spiral conductor, the direction of current flowing through the upper spiral conductor and the direction of current flowing through the lower spiral conductor can be made to coincide in planar view.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs selon l’invention comporte: une électrode supérieure située au-dessus d'une électrode inférieure; une puce semiconductrice située entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; des tampons de pression situés sur la puce semiconductrice, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; et un corps conducteur en spirale situé, avec la puce semiconductrice et les tampons de pression, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Le corps conducteur en spirale possède une partie corps conducteur en spirale côté supérieur, et une partie corps conducteur en spirale côté inférieur faisant face à la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et connectée à cette partie corps conducteur en spirale côté supérieur au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Grâce à la formation d'une rainure dans la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et dans la partie corps conducteur en spirale côté inférieure, dans une vue en plan, la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté supérieur coïncide avec la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté inférieur.
(JA) 下電極の上方に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の間に設けられた半導体チップと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップと重ねて設けられたプレッシャパッドと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップおよび該プレッシャパッドと重ねて設けられたスパイラル導体と、を備え、該スパイラル導体は、上側スパイラル導体と、該上側スパイラル導体の下端に接し該上側スパイラル導体に対向する下側スパイラル導体とを有し、該上側スパイラル導体と該下側スパイラル導体に溝を形成することで、平面視で、該上側スパイラル導体を流れる電流の向きと、該下側スパイラル導体を流れる電流の向きを一致させた。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)