此应用程序的某些内容目前无法使用。
如果这种情况持续存在,请联系我们反馈与联系
1. (WO2018044240) A METHOD OF FORMING NANO-PATTERNS ON A SUBSTRATE
国际局存档的最新著录项目数据    提交意见

公布号: WO/2018/044240 国际申请号: PCT/SG2017/050440
公布日: 08.03.2018 国际申请日: 05.09.2017
国际专利分类:
B82Y 40/00 (2011.01) ,G02B 1/118 (2015.01)
B 作业;运输
82
超微技术
Y
纳米结构的特定用途或应用;纳米结构的测量或分析;纳米结构的制造或处理
40
纳米结构的制造或处理
[IPC code unknown for G02B 1/118]
申请人:
AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis North Tower, Singapore 138632, SG
发明人:
YANG, Kwang Wei Joel; SG
DONG, Zhaogang; SG
PANIAGUA-DOMINGUEZ, Ramón; SG
KUZNETSOV, Arseniy; SG
YU, Yefeng; SG
代理人:
SPRUSON & FERGUSON (ASIA) PTE LTD; P.O. Box 1531, Robinson Road Post Office Singapore 903031, SG
优先权数据:
10201607372X05.09.2016SG
标题 (EN) A METHOD OF FORMING NANO-PATTERNS ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANO-MOTIFS SUR UN SUBSTRAT
摘要:
(EN) This application relates to a method of forming nano-patterns on a substrate comprising the step of forming a plurality of nanostructures on a dielectric substrate, wherein the nanostructures are dimensioned or spaced apart from each other by a scaling factor of the dielectric substrate with reference to a silicon substrate. There is also provided a method of forming a nano-patterned substrate comprising the step of forming a plurality of nanostructures on a dielectric substrate, wherein said dielectric substrate comprises an anti-reflectance layer disposed on a base substrate. There is also provided a method of forming a nano-patterned substrate comprising the steps of forming a plurality of nanostructures on a dielectric substrate, wherein the dielectric substrate comprises an anti-reflectance layer disposed on a base substrate, wherein the nanostructures comprise a dielectric material, and wherein the nanostructures are dimensioned or spaced apart from each other by a scaling factor of the dielectric material with reference to a silicon substrate.
(FR) Cette demande concerne un procédé de formation de nano-motifs sur un substrat comprenant l'étape consistant à former une pluralité de nano-structures sur un substrat diélectrique, les nano-structures étant dimensionnées ou espacées les unes des autres par un facteur de mise à l'échelle du substrat diélectrique en référence à un substrat de silicium. L'invention concerne également un procédé de formation d'un substrat à nano-motifs comprenant l'étape consistant à former une pluralité de nano-structures sur un substrat diélectrique, ledit substrat diélectrique comprenant une couche antireflet disposée sur un substrat de base. L'invention concerne également un procédé de formation d'un substrat à nano-motifs comprenant les étapes consistant à former une pluralité de nano-structures sur un substrat diélectrique, le substrat diélectrique comprenant une couche antireflet disposée sur un substrat de base, les nano-structures comprenant un matériau diélectrique, et les nano-structures étant dimensionnées ou espacées les unes des autres par un facteur de mise à l'échelle du matériau diélectrique par rapport à un substrat de silicium.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)