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1. (WO2018042835) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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公布号: WO/2018/042835 国际申请号: PCT/JP2017/022651
公布日: 08.03.2018 国际申请日: 20.06.2017
国际专利分类:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
336
带有绝缘栅的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
02
按其半导体本体的特征区分的
12
按其构成材料的特征区分的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
40
按其电极特征区分的
41
以其形状、相对尺寸或位置为特征的
417
通有待整流、放大或切换电流的
申请人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
发明人:
内田 光亮 UCHIDA, Kosuke; JP
日吉 透 HIYOSHI, Toru; JP
酒井 光彦 SAKAI, Mitsuhiko; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
优先权数据:
2016-16962431.08.2016JP
标题 (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
摘要:
(EN) A gate trench, which is defined by a first side surface and a first bottom surface, and a source trench, which is defined by a second side surface and a second bottom surface, are provided on a first main surface. A silicon carbide substrate includes a drift region, body region, source region, first region, and second region. The first region is in contact with the second region. On the first side surface, a gate insulating film is in contact with the drift region, the body region, and the source region, and on the first bottom surface, the gate insulating film is in contact with the drift region. On the second side surface and the second bottom surface, the source electrode is in contact with the second region.
(FR) La présente invention concerne une tranchée de grille, qui est définie par une première surface latérale et une première surface inférieure, et une tranchée source, qui est définie par une seconde surface latérale et une seconde surface inférieure, étant disposées sur une première surface principale. Un substrat de carbure de silicium comprend une région de dérive, une région de corps, une région de source, une première région et une seconde région. La première région est en contact avec la seconde région. Sur la première surface latérale, un film d'isolation de grille est en contact avec la région de dérive, la région de corps, et la région source, et sur la première surface inférieure, le film isolant de grille est en contact avec la région de dérive. Sur la seconde surface latérale et la seconde surface inférieure, l'électrode source est en contact avec la seconde région.
(JA) 第1主面には、第1側面と、第1底面とにより規定されているゲートトレンチと、第2側面と、第2底面とにより規定されているソーストレンチとが設けられている。炭化珪素基板は、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と、第1領域と、第2領域とを含む。第1領域は、第2領域と接する。ゲート絶縁膜は、第1側面において、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と接し、かつ第1底面において、ドリフト領域に接している。ソース電極は、第2側面と第2底面とにおいて、第2領域と接している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)