WO2017215146 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

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1. (WO2017215146) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

国际局存档的最新著录项目数据

公布号：	WO/2017/215146	国际申请号：	PCT/CN2016/100297
公布日：	21.12.2017	国际申请日：	27.09.2016

国际专利分类：

C23C 14/02 (2006.01)

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN

发明人：

王军 WANG, Jun; CN

董博宇 DONG, Boyu; CN

郭冰亮 GUO, Bingliang; CN

耿玉洁 GENG, Yujie; CN

马怀超 MA, Huaichao; CN

代理人：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN

优先权数据：

201610409464.7

12.06.2016

标题

(EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM MINCE EN NITRURE D’ALUMINIUM
(ZH) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法

摘要：

(EN) A method for forming a thin film and a method for forming an aluminium nitride thin film. Two pre-sputtering processes having different process parameters are performed before primary sputtering to achieve the effect of stabilizing the status of a target. The method for forming a thin film can form an aluminium nitride thin film on a substrate, and the aluminium nitride thin film can be applied to a buffer layer between the substrate and a gallium nitride layer in an electronic device.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film mince et un procédé de formation d'un film mince en nitrure d'aluminium. Deux processus de pré-pulvérisation ayant des paramètres de traitement différents sont effectués avant la pulvérisation primaire afin d'obtenir l'effet de stabilisation de l'état d'une cible. Le procédé de formation d'un film mince peut former un film mince en nitrure d'aluminium sur un substrat, et le film mince en nitrure d'aluminium peut être appliqué sur une couche tampon entre le substrat et une couche de nitrure de gallium dans un dispositif électronique.
(ZH) 一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法，利用主溅射之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射达到稳定靶材状况的效果。形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜，氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层。

指定国：

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

公布语言：

中文 (ZH)

申请语言：

中文 (ZH)

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