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1. (WO2017215146) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2017/215146 国际申请号: PCT/CN2016/100297
公布日: 21.12.2017 国际申请日: 27.09.2016
国际专利分类:
C23C 14/02 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
02
待镀材料的预处理
申请人:
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
发明人:
王军 WANG, Jun; CN
董博宇 DONG, Boyu; CN
郭冰亮 GUO, Bingliang; CN
耿玉洁 GENG, Yujie; CN
马怀超 MA, Huaichao; CN
代理人:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
优先权数据:
201610409464.712.06.2016CN
标题 (EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINIUM NITRIDE THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM MINCE EN NITRURE D’ALUMINIUM
(ZH) 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法
摘要:
(EN) A method for forming a thin film and a method for forming an aluminium nitride thin film. Two pre-sputtering processes having different process parameters are performed before primary sputtering to achieve the effect of stabilizing the status of a target. The method for forming a thin film can form an aluminium nitride thin film on a substrate, and the aluminium nitride thin film can be applied to a buffer layer between the substrate and a gallium nitride layer in an electronic device.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film mince et un procédé de formation d'un film mince en nitrure d'aluminium. Deux processus de pré-pulvérisation ayant des paramètres de traitement différents sont effectués avant la pulvérisation primaire afin d'obtenir l'effet de stabilisation de l'état d'une cible. Le procédé de formation d'un film mince peut former un film mince en nitrure d'aluminium sur un substrat, et le film mince en nitrure d'aluminium peut être appliqué sur une couche tampon entre le substrat et une couche de nitrure de gallium dans un dispositif électronique.
(ZH) 一种形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法,利用主溅射之前先进行两次具有不同工艺参数的预溅射达到稳定靶材状况的效果。形成薄膜的方法可在基板上形成氮化铝薄膜,氮化铝薄膜可用于电子装置中位于基板与氮化镓层之间的缓冲层。
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公布语言: 中文 (ZH)
申请语言: 中文 (ZH)