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1. (WO2017091189) ELECTRICAL CONTACTS FOR MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2017/091189 国际申请号: PCT/US2015/062078
公布日: 01.06.2017 国际申请日: 23.11.2015
国际专利分类:
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
02
零部件
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
08
磁场控制的电阻器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
10
材料的选择
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
43
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
12
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
WIEGAND, Christopher J. [US/US]; US (US)
GOLONZKA, Oleg [US/US]; US (US)
OGUZ, Kaan [TR/US]; US (US)
O'BRIEN, Kevin P. [US/US]; US (US)
RAHMAN, Tofizur [BD/US]; US (US)
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US (US)
GHANI, Tahir [US/US]; US (US)
DOCZY, Mark L. [US/US]; US (US)
发明人:
WIEGAND, Christopher J.; US
GOLONZKA, Oleg; US
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
RAHMAN, Tofizur; US
DOYLE, Brian S.; US
GHANI, Tahir; US
DOCZY, Mark L.; US
代理人:
ZAGER, Laura; US
优先权数据:
标题 (EN) ELECTRICAL CONTACTS FOR MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
(FR) CONTACTS ÉLECTRIQUES POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
摘要:
(EN) Disclosed herein are electrical contacts for magnetoresistive random access memory (MRAM) devices and related memory structures, devices, and methods. For example, and electrical contact for an MRAM device may include: a tantalum region; a barrier region formed of a first material; and a passivation region formed of a second material and disposed between the tantalum region and the barrier region, wherein the second material includes tantalum nitride and is different from the first material.
(FR) L'invention concerne des contacts électriques pour dispositifs de mémoire vive magnétique (MRAM), et des structures de mémoire, des dispositifs et des procédés associés. Par exemple, un contact électrique pour dispositif MRAM peut comprendre : une zone en tantale ; une zone barrière formée d'un premier matériau ; et une zone de passivation formée d'un deuxième matériau et disposée entre la zone en tantale et la zone barrière, le deuxième matériau comprenant du nitrure de tantale et étant différent du premier matériau.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)
也发表为:
CN108140724EP3381064US20190027536