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1. (WO2016199556) MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2016/199556 国际申请号: PCT/JP2016/064772
公布日: 15.12.2016 国际申请日: 18.05.2016
国际专利分类:
H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
10
在重复结构中包括有多个独立组件的
105
包含场效应组件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
27
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
04
其衬底为半导体的
10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
45
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
49
不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
申请人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
发明人:
寺田 晴彦 TERADA, Haruhiko; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
优先权数据:
2015-11722810.06.2015JP
标题 (EN) MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET SYSTÈME DE MÉMOIRE
(JA) メモリデバイスおよびメモリシステム
摘要:
(EN) Provided is a memory device having a structure suitable for higher integration while ensuring ease of manufacture. The memory device is provided with n memory cell units which are layered on a substrate successively from a first memory cell unit to an n-th memory cell unit in a first direction. Each of the n memory cell units includes: one or more first electrodes; a plurality of second electrodes each of which is disposed so as to intersect the first electrode; a plurality of memory cells which are disposed at points of intersection of the first electrode and each of the plurality of second electrodes, and which are respectively connected to both the first electrode and the second electrodes; and one or more lead-out wires connected to the first electrode and forming one or more connection portions. At least one connection portion in a (m + 1)-th memory cell unit is positioned so as to overlap, in a first direction, an m-th memory cell region surrounded by a plurality of memory cells in the m-th memory cell unit.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire ayant une structure appropriée pour une intégration supérieure tout en garantissant une facilité de fabrication. Le dispositif de mémoire est équipé de n unités de cellules de mémoire qui sont disposées en couches sur un substrat de manière successive d'une première unité de cellule de mémoire à une n-ième unité de cellule de mémoire dans une première direction. Chacune des n unités de cellule de mémoire comprend : une ou plusieurs premières électrodes ; une pluralité de secondes électrodes dont chacune est disposée de manière à croiser la première électrode ; une pluralité de cellules de mémoire qui sont disposées au niveau de points d'intersection de la première électrode et de chaque électrode de la pluralité de secondes électrodes, et qui sont respectivement connectées à la fois à la première électrode et aux secondes électrodes ; et un ou plusieurs fils de sortie connectés à la première électrode et formant une ou plusieurs parties de connexion. Au moins une partie de connexion dans une (m + 1)-ième unité de cellule de mémoire est positionnée de manière à chevaucher, dans une première direction, une m-ième région de cellule de mémoire entourée par une pluralité de cellules de mémoire dans la m-ième unité de cellule de mémoire.
(JA) 製造上の容易性を担保しつつ、より高集積化に適した構造を有するメモリデバイスを提供する。このメモリデバイスは、基板の上に、第1の方向において第1番目から第n番目まで順に積層されたn個のメモリセルユニットを備える。n個のメモリセルユニットは、それぞれ、1以上の第1電極と、この第1電極と各々交差するように設けられた複数の第2電極と、第1電極と複数の第2電極との各々の交差点に設けられ、第1電極と第2電極との双方にそれぞれ接続された複数のメモリセルと、第1電極に接続されて1以上の接続部を形成する1以上の引き出し線とを有する。第(m+1)番目のメモリセルユニットにおける少なくとも1つの接続部は、第m番目のメモリセルユニットにおいて複数のメモリセルが取り囲む第m番目のメモリセル領域と第1の方向において重なり合う位置にある。
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非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)