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1. (WO2016193968) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2016/193968 国际申请号: PCT/IL2016/050555
公布日: 08.12.2016 国际申请日: 29.05.2016
国际专利分类:
G01N 23/22 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01)
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
23
利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00组内的波或粒子辐射来测试或分析材料,例如X射线、中子
22
通过测量二次发射
G PHYSICS
01
用于测量的传感器,如敏感元件
N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
21
利用光学手段,即利用红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
申请人:
XWINSYS LTD. [IL/IL]; 6 Haticshoret Street Rama Gabriel 20307049 Migdal Haemek, IL
发明人:
REINIS, Doron; IL
GEFFEN, Michael; IL
PERETZ, Roni; IL
SMITH, Colin; IL
代理人:
LUDAR, Aryeh; Pastel LTD. 39 Barkan Street P O Box 84 2014200 Yuvalim, IL
优先权数据:
62/169,01801.06.2015US
标题 (EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
(FR) APPAREIL D'INSPECTION DE MÉTROLOGIE
摘要:
(EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS [001]The present disclosure provides a method and an apparatus for apparatus for inspecting a semiconductor wafer for abnormalities by accurately measuring elemental concentration at a target area. The apparatus includes an x-ray imaging subsystem for measuring an elemental composition at the target area of the semiconductor wafer. The apparatus further includes an edxrf subsystem for measuring an elemental concentration at the target area of the semiconductor wafer. The elemental concentration may be calibrated by first correlating the elemental concentration measurements obtained using x-ray imaging system for the target area with the elemental concentration measurements obtained using the edxrf subsystem for the target area to receive an augmented and accurate elemental concentration measurement for the target area of the semiconductor wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil permettant d'inspecter une tranche de semi-conducteur par rapport à des anomalies en mesurant précisément la concentration élémentaire au niveau d'une zone cible. L'appareil comprend : un sous-système d'imagerie par rayons X conçu pour mesurer une composition élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur ; et un sous-système edxrf conçu pour mesurer une concentration élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur. La concentration élémentaire peut être étalonnée en corrélant les mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant un système d'imagerie par rayons X pour la zone cible aux mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant le sous-système edxrf pour la zone cible de façon à recevoir une mesure de concentration élémentaire augmentée et précise pour la zone cible de la tranche de semi-conducteur.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)