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1. (WO2016190205) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND JOINING MATERIAL
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2016/190205 国际申请号: PCT/JP2016/064845
公布日: 01.12.2016 国际申请日: 19.05.2016
国际专利分类:
H01L 21/52 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
50
应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
52
半导体在容器中的安装
H 电学
01
基本电气元件
S
利用受激发射的器件
5
半导体激光器
02
基本上不涉及激光作用的结构零件或组件
022
安装座;外壳
申请人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
发明人:
南 典也 MINAMI, Noriya; JP
出田 吾朗 IZUTA, Goro; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
优先权数据:
2015-10644726.05.2015JP
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND JOINING MATERIAL
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU DE JONCTION
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び接合材料
摘要:
(EN) A semiconductor device (1) is provided with a joining part (3) for joining a first electrode (23) of a semiconductor element (2) and a second electrode (5) of a support member (4). The joining part (3) includes a first solder layer (31), a diffusion-prevention layer (32), and a second solder layer (33), in the stated order from the semiconductor element (2) side. The second solder layer (33) has a second melting point lower than a first melting point of the first solder layer (31). The diffusion prevention layer (32) prevents interdiffusion between the first solder layer (31) and the second solder layer (33). The second solder layer (33) contains tin (Sn). The second electrode (5), the diffusion prevention layer (32), and the second solder layer (33) do not contain gold (Au). Therefore, the semiconductor device (1) is provided with a high-reliability joining part in which stress produced in the semiconductor element (2) is reduced.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur (1) est pourvu d'une partie de jonction (3) permettant de joindre une première électrode (23) d'un élément semi-conducteur (2) et une seconde électrode (5) d'un élément de support (4). La partie de jonction (3) comprend une première couche de soudure (31), une couche antidiffusante (32), et une seconde couche de soudure (33), dans l'ordre indiqué à partir du côté élément semi-conducteur (2). La seconde couche de soudure (33) présente un second point de fusion inférieur à un premier point de fusion de la première couche de soudure (31). La couche antidiffusante (32) empêche une interdiffusion entre la première couche de soudure (31) et la seconde couche de soudure (33). La seconde couche de soudure (33) contient de l'étain (Sn). La seconde électrode (5), la couche antidiffusante (32) et la seconde couche de soudure (33) ne contiennent pas d'or (Au). Par conséquent, le dispositif à semi-conducteur (1) est pourvu d'une partie de jonction à haute fiabilité dont la contrainte produite dans l'élément semi-conducteur (2) est réduite.
(JA) 半導体装置(1)は、半導体素子(2)の第1の電極(23)と支持部材(4)の第2の電極(5)とを接合する接合部(3)を備える。接合部(3)は、半導体素子(2)側から順に、第1のはんだ層(31)と、拡散防止層(32)と、第2のはんだ層(33)とを含む。第2のはんだ層(33)は、第1のはんだ層(31)の第1の融点よりも低い第2の融点を有する。拡散防止層(32)は、第1のはんだ層(31)と第2のはんだ層(33)との間の相互拡散を防止する。第2のはんだ層(33)は錫(Sn)を含む。第2の電極(5)と、拡散防止層(32)と、第2のはんだ層(33)とは、金(Au)を含まない。そのため、半導体装置(1)は、半導体素子(2)に発生する応力が低減されるとともに信頼性の高い接合部を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)