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1. (WO2015199539) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2015/199539 国际申请号: PCT/NL2015/050463
公布日: 30.12.2015 国际申请日: 25.06.2015
国际专利分类:
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/513 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 1/24 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
16
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺
44
以镀覆方法为特征的
455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
16
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺
44
以镀覆方法为特征的
50
借助放电的
513
采用等离子流
H 电学
01
基本电气元件
J
放电管或放电灯
37
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
32
充气放电管
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
H
等离子体技术;加速的带电粒子或中子的产生;中性分子或原子射束的产生或加速
1
等离子体的产生;等离子体的处理
24
等离子体的产生
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
30
用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
314
无机层
申请人:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 NL-2595 DA 's-Gravenhage, NL
发明人:
CREYGHTON, Yves Lodewijk Maria; NL
POODT, Paulus Willibrordus George; NL
SIMOR, Marcel; NL
ROOZEBOOM, Freddy; NL
代理人:
JANSEN, C.M.; NL
优先权数据:
14173878.125.06.2014EP
标题 (EN) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
(FR) SOURCE DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE
摘要:
(EN) Plasma source and surface treatment method. A plasma source has an outer surface (12), interrupted by an aperture (14) for delivering an atmospheric plasma from the outer surface. A transport mechanism (11) transports a substrate (10) in parallel with the outer surface, closely to the outer surface, so that gas from the atmospheric plasma may form a gas bearing between the outer surface the and the substrate. A first electrode (16a,b) of the plasma source has a first and second surface extending from an edge of the first electrode that runs along the aperture. The first surface defines the outer surface on a first side of the aperture. The distance between the first and second surface increasing with distance from the edge. A second electrode (17) covered at least partly by a dielectric layer (18) is provided with the dielectric layer facing the second surface of the first electrode, substantially in parallel with the second surface of the first electrode, leaving a plasma initiation space on said first side of the aperture, between the surface of the dielectric layer and the second surface of the first electrode. A gas inlet (19a,b) feeds into the plasma initiation space to provide gas flow from the gas inlet to the aperture through the plasma initiation space. Atmospheric plasma initiated in the plasma initiation space flows to the aperture, from which it leaves to react with the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne une source de plasma et un procédé de traitement de surface. Une source de plasma présente une surface extérieure (12), interrompue par une ouverture (14) pour distribuer un plasma atmosphérique depuis la surface extérieure. Un mécanisme de transport (11) transporte un substrat (10) en parallèle avec la surface extérieure, à proximité de la surface extérieure, de sorte qu'un gaz provenant du plasma atmosphérique puisse former un palier à gaz entre la surface extérieure et le substrat. Une première électrode (16a,b) de la source de plasma comporte une première et une seconde surface s'étendant depuis un bord de la première électrode qui s'étend le long de l'ouverture. La première surface délimite la surface extérieure sur un premier côté de l'ouverture. La distance entre la première et la seconde surface augmente avec la distance à partir du bord. Une seconde électrode (17) recouverte au moins en partie par une couche diélectrique (18) est dotée de la couche diélectrique faisant face à la seconde surface de la première électrode, sensiblement en parallèle avec la seconde surface de la première électrode, en laissant un espace d'amorçage de plasma sur ledit premier côté de l'ouverture, entre la surface de la couche diélectrique et la seconde surface de la première électrode. Une entrée de gaz (19a,b) donne sur l'espace d'amorçage de plasma pour former un écoulement de gaz de l'entrée de gaz à l'ouverture, à travers l'espace d'amorçage de plasma. Le plasma atmosphérique amorcé dans l'espace d'amorçage de plasma s'écoule vers l'ouverture, qu'il quitte pour réagir avec la surface du substrat.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)
也发表为:
US20170137939EP3161182
关于标明可提供技术许可的请求 申请人已请求国际局标明本国际申请中要求保护的发明可提供技术许可