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1. (WO2015043957) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2015/043957 国际申请号: PCT/EP2014/069302
公布日: 02.04.2015 国际申请日: 10.09.2014
国际专利分类:
C03C 3/06 (2006.01) ,C03B 19/14 (2006.01) ,G02B 5/08 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
C 化学;冶金
03
玻璃;矿棉或渣棉
C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分;玻璃的表面处理;由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理;玻璃与玻璃或与其他材料的接合
3
玻璃组成
04
含二氧化硅
06
用大于90(重量)的二氧化硅,如石英
C 化学;冶金
03
玻璃;矿棉或渣棉
B
玻璃、矿物或渣棉的制造、成型;玻璃、矿物或渣棉的制造或成型的辅助工艺
19
玻璃成型的其他方法
14
用气相反应法
G PHYSICS
02
光学
B
光学元件、系统或仪器
5
除透镜外的光学元件
08
反射镜
G PHYSICS
03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
7
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
20
曝光及其设备
申请人:
HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Quarzstraße 8 63450 Hanau, DE
发明人:
BECKER, Klaus; DE
THOMAS, Stephan; DE
优先权数据:
10 2013 219 808.630.09.2013DE
标题 (EN) MIRROR BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY WITHOUT EXPANSION UNDER EUV RADIATION
(FR) POLI-MIROIR POUR LITHOGRAPHIE EUV SANS EXPANSION DUE AU RAYONNEMENT EUV
(DE) SPIEGELBLANK FÜR EUV LITHOGRAPHIE OHNE AUSDEHNUNG UNTER EUV-BESTRAHLUNG
摘要:
(EN) The present invention relates to a substrate for an EUV mirror which has a zero crossing temperature profile that is different from the statistical distribution. The invention further relates to a method for producing a substrate for an EUV mirror and to the use thereof, the zero crossing temperature profile in the substrate being adapted to the operating temperature of the mirror. The invention also relates to a lithography method using said substrate.
(FR) La présente invention concerne un substrat destiné à un miroir EUV dont la courbe de température de passage par zéro s'écarte de la courbe de distribution statistique. En outre, l'invention concerne un procédé de production d'un substrat destiné à un miroir EUV et son utilisation, la courbe de température de passage par zéro dans le substrat étant ajustée à la température de fonctionnement du miroir, ainsi qu'un procédé de lithographie utilisant un tel substrat.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat für einen EUV-Spiegel, das einen von der statistischen Verteilung abweichenden Verlauf der Nulldurchgangstemperatur aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates für einen EUV-Spiegel und dessen Verwendung, wobei der Verlauf der Nulldurchgangstemperatur im Substrat der Betriebstemperatur des Spiegels angepasst ist sowie ein Lithographieverfahren unter Verwendung eines solchen Substrates.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 德语 (DE)
申请语言: 德语 (DE)