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1. (WO2014083218) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2014/083218 国际申请号: PCT/ES2013/000264
公布日: 05.06.2014 国际申请日: 27.11.2013
第2章国际初步审查要求书已提交: 29.09.2014
国际专利分类:
C23C 14/10 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
06
以镀层材料为特征的
10
玻璃或二氧化硅
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
34
溅射
35
利用磁场的,例如磁控溅射
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
16
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺
22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
40
氧化物
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
16
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积(CVD)工艺
44
以镀覆方法为特征的
50
借助放电的
505
采用射频放电
509
采用内电极
申请人:
ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. [ES/ES]; Campus Palmas Altas C/ Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla, ES
发明人:
GIL ROSTRA, Jorge; ES
RICO GAVIRA, Victor; ES
YUBERO VALENCIA, Francisco; ES
ESPINÓS MANZORRO, Juan Pedro; ES
RODRÍGUEZ GONZÁLEZ-ELIPE, Agustín; ES
SÁNCHEZ CORTEZÓN, Emilio; ES
DELGADO SÁNCHEZ, Jose María; ES
代理人:
GARCIA-CABRERIZO Y DEL SANTO, Pedro Maria; Vitruvio, 23 E-28006 Madrid, ES
优先权数据:
12380053.428.11.2012EP
标题 (EN) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
(ES) PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA O MULTICAPA BARRERA Y/O DIELÉCTRICA SOBRE UN SUSTRATO Y DISPOSITIVO PARA SU REALIZACIÓN
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D'UNE COUCHE OU DE PLUSIEURS COUCHES FORMANT BARRIÈRE ET/OU DE TYPE DIÉLECTRIQUE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR SA MISE EN OEUVRE
摘要:
(EN) The invention relates to a method for producing dielectric and/or barrier layers on a substrate, characterised in that it comprises the following steps: (a) cleaning substrates, (b) placing the substrate in a sample carrier and introducing same into a vacuum chamber, (c) dosing an inert gas and a reactive gas into said vacuum chamber, (d) injecting, into said vacuum chamber, a volatile precursor that has at least one cation of the compound to be deposited, (e) activating a radiofrequency source and activating at least one magnetron, (f) decomposition of the volatile precursor by plasma, producing the reaction between the cation of the volatile precursor and the reactive gas at the same time as the reaction is produced between the reactive gas contained in the plasma with the cation generated from the target by cathode sputtering, thereby generating the deposition of the film on the substrate. The invention also relates to the device for carrying out said method.
(ES) La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un porta muestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato. Es también objeto de la invención el dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour la préparation d'une couche ou de plusieurs couches formant barrière et/ou de type diélectrique sur un substrat, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) nettoyage des substrats, (b) mise en place du substrat dans un porte-échantillons et introduction de ce dernier dans une chambre à vide, (c) dosage dans ladite chambre d'un gaz inerte et d'un gaz réactif, (d) injection dans la chambre à vide d'un précurseur volatil qui comporte au moins un cation du composé à déposer, (e) activation d'une source de radiofréquence et activation d'au moins un magnétron, (f) décomposition du précurseur volatil par plasma, la réaction se produisant entre le cation du précurseur volatil et le gaz réactif en même temps que se produit la réaction entre le gaz réactif contenu dans le plasma avec le cation provenant de la cible par pulvérisation cathodique, provoquant ainsi le dépôt de la pellicule sur le substrat. La présente invention porte également sur le dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 西班牙语 (ES)
申请语言: 西班牙语 (ES)
也发表为:
CN104955978KR1020150099764US20150325418ES2542252