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1. (WO2013163433) LASER JOINING DEVICE
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2013/163433 国际申请号: PCT/US2013/038223
公布日: 31.10.2013 国际申请日: 25.04.2013
国际专利分类:
B23K 26/20 (2006.01)
B 作业;运输
23
机床;其他类目中不包括的金属加工
K
钎焊或脱焊;焊接;用钎焊或焊接方法包覆或镀敷;局部加热切割,如火焰切割;用激光束加工
26
用激光束加工,例如焊接,切割,打孔
20
连接,如焊接
申请人:
ALERE SAN DIEGO, INC. [US/US]; 9975 Summers Ridge Road Dan Diego, CA 92121, US
发明人:
OLSSON, Erik, Mikael; US
RIVERON, Jonathan; US
TOVAR, Armando, Raul; US
代理人:
TAYLOR, Stacy, L.; Dla Piper Llp (US) 4365 Executive Drive, Suite 1100 San Diego, CA 92121-2133, US
优先权数据:
61/638,85026.04.2012US
标题 (EN) LASER JOINING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ASSEMBLAGE AU LASER
摘要:
(EN) The present invention relates to methods for joining materials as well as articles manufactured using such processes. The invention pertains to a process for joining a first substrate to a second substrate. The process includes irradiating a portion of a first substrate with a laser beam having a first wavelength and intensity sufficient to increase the absorbance of the first substrate to light having a second, different wavelength. The laser beam may carbonize at least a portion of the irradiated portion of the first substrate imparting a higher absorbance to light than non-irradiated portions of the first substrate. A second substrate is then placed in contact with the irradiated portion of the first substrate. The first substrate is then irradiated with a second laser having a second wavelength, different to the first wavelength; with a sufficient intensity to heat and, preferably melt, the irradiated portion of the first substrate.
(FR) L'invention se rapporte à des procédés d'assemblage de matériaux ainsi qu'à des objets fabriqués à l'aide de ces processus. L'invention a trait à un processus qui permet d'assembler un premier substrat avec un second substrat. Ledit processus consiste à exposer une partie d'un premier substrat à un faisceau laser présentant une première longueur d'onde et une intensité suffisante pour accroître l'absorbance du premier substrat quant à une lumière ayant une seconde longueur d'onde, différente de la première. Le faisceau laser peut carboniser au moins une portion de la partie exposée du premier substrat, ce qui confère à cette partie une absorbance quant à la lumière qui est plus élevée que celle des parties non exposées du premier substrat. Un second substrat est alors mis en contact avec la partie exposée dudit premier substrat. Ensuite, ce premier substrat est exposé à un second laser qui présente une seconde longueur d'onde différente de la première, ainsi qu'une intensité suffisante pour chauffer, et de préférence faire fondre, la partie exposée dudit premier substrat.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)