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1. (WO2013085566) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2013/085566 国际申请号: PCT/US2012/038013
公布日: 13.06.2013 国际申请日: 15.05.2012
国际专利分类:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
778
带有二维载流子气沟道的,如HEMT
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
334
制造单极型器件的台阶式工艺
335
场效应晶体管
申请人:
HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Road Malibu, CA 90265-4799, US (AllExceptUS)
CHU, Rongming [CN/US]; US (UsOnly)
LI, Zijian, Ray [CN/US]; US (UsOnly)
BOUTROS, Karim, S. [US/US]; US (UsOnly)
BURNHAM, Shawn [US/US]; US (UsOnly)
发明人:
CHU, Rongming; US
LI, Zijian, Ray; US
BOUTROS, Karim, S.; US
BURNHAM, Shawn; US
代理人:
GALLENSON, Mavis, S.; 5670 Wilshire Boulevard Suite 2100 Los Angeles, CA 90036, US
优先权数据:
13/312,40606.12.2011US
标题 (EN) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AU GAN À HAUT COURANT ET À HAUTE TENSION ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
摘要:
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer, the (FET) including a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer, the field plate connected to the source contact and extending over a space between the gate contact and the drain contact and the field plate comprising a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ (FET) comprenant un contact de source vers une couche de canal, un contact de drain vers la couche de canal, et un contact de grille sur une couche barrière au-dessus de la couche de canal, le FET comprenant une couche diélectrique sur la couche barrière entre le contact de source et le contact de drain et au-dessus du contact de grille, et une plaque de champ sur la couche diélectrique, la plaque de champ étant connectée au contact de source et s'étendant au-dessus d'un espace situé entre le contact de grille et le contact de drain et la plaque de champ comprenant une paroi latérale en pente dans l'espace situé entre le contact de grille et le contact de drain.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)