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1. (WO2012011225) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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公布号: WO/2012/011225 国际申请号: PCT/JP2011/003560
公布日: 26.01.2012 国际申请日: 22.06.2011
国际专利分类:
H01L 21/331 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 29/732 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
02
半导体器件或其部件的制造或处理
04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
18
器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
328
制造双极型器件,例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
33
包括3个或更多电极的器件
331
晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
21
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
71
限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造
76
组件间隔离区的制作
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
70
双极器件
72
晶体管型器件,如连续响应于所施加的控制信号的
73
双极结型晶体管
732
纵向晶体管
申请人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
田中 光男 TANAKA, Mitsuo; null (UsOnly)
佐野 恒一郎 SANO, Tsuneichiro; null (UsOnly)
松井 靖 MATSUI, Osamu; null (UsOnly)
发明人:
田中 光男 TANAKA, Mitsuo; null
佐野 恒一郎 SANO, Tsuneichiro; null
松井 靖 MATSUI, Osamu; null
代理人:
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
优先权数据:
2010-16436821.07.2010JP
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
摘要:
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of reducing leakage current even in cases where the transistor area is decreased. A semiconductor device (1) of the present invention comprises: a p-type semiconductor substrate (10); a first n-type collector diffusion layer (21) that is formed in the p-type semiconductor substrate (10); a deep trench (11) that is formed in the p-type semiconductor substrate (10) so as to surround the first n-type collector diffusion layer (21); a p-type channel stopper layer (30) that is formed below the deep trench (11); and an n-type diffusion layer (50) that is formed between the side wall of the deep trench (11) and the first n-type collector diffusion layer (21).
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui permet de réduire le courant de fuite, même dans les cas où la surface des transistors est réduite. Ledit dispositif semi-conducteur (1) comprend : un substrat semi-conducteur de type p (10) ; une première couche de diffusion de collecteur de type n (21) formée dans le substrat semi-conducteur de type p (10) ; une tranchée profonde (11) formée dans le substrat semi-conducteur de type p (10) de manière à entourer la première couche de diffusion de collecteur de type n (21) ; une couche d'arrêt de canal de type p (30) formée en dessous de la tranchée profonde (11) ; et une couche de diffusion de type n (50) formée entre la paroi latérale de la tranchée profonde (11) et la première couche de diffusion de collecteur de type n (21).
(JA)  トランジスタ面積を縮小化した場合でも、リーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。本発明に係る半導体装置(1)は、p型半導体基板(10)と、p型半導体基板(10)に形成された第1のn型コレクタ拡散層(21)と、第1のn型コレクタ拡散層(21)を囲むようにp型半導体基板(10)に形成されたディープトレンチ(11)と、ディープトレンチ(11)の下方に形成されたp型チャネルストッパ層(30)と、ディープトレンチ(11)の側壁と第1のn型コレクタ拡散層(21)との間に形成されたn型拡散層(50)とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)