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1. (WO2009084625) METHOD FOR PRODUCING IRIDIUM-CONTAINING PHOSPHOR
国际局存档的最新著录项目数据   

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公布号:    WO/2009/084625    国际申请号:    PCT/JP2008/073710
公布日: 09.07.2009 国际申请日: 26.12.2008
国际专利分类:
C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01)
申请人: KURARAY CO., LTD. [JP/JP]; 1621, Sakazu, Kurashiki-shi, Okayama 7100801 (JP) (For All Designated States Except US).
TSUJI, Yoshihisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IWASAKI, Hideharu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
发明人: TSUJI, Yoshihisa; (JP).
IWASAKI, Hideharu; (JP)
代理人: ONO, Shinjiro; YUASA AND HARA, Section 206 New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
优先权数据:
2007-336726 27.12.2007 JP
2008-258713 03.10.2008 JP
标题 (EN) METHOD FOR PRODUCING IRIDIUM-CONTAINING PHOSPHOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SUBSTANCE LUMINESCENTE CONTENANT DE L'IRIDIUM
(JA) イリジウム含有蛍光体の製造方法
摘要: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a phosphor containing iridium. Specifically disclosed is a method for producing an iridium-containing phosphor, which comprises a step for doping a group II-VI compound semiconductor with iridium. This method for producing an iridium-containing phosphor is characterized by using an iridium complex salt having an impurity iron content of not more than 100 ppm in the iridium doping step. In this method, the impurity iron content is preferably not more than 50 ppm, more preferably not more than 10 ppm, and the iridium complex salt is preferably a hexachloroiridium salt.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une substance luminescente contenant de l'iridium. De façon spécifique, l'invention porte sur un procédé de fabrication d'une substance luminescente contenant de l'iridium, qui comprend une étape consistant à doper un semiconducteur composé du groupe II-VI avec de l'iridium. Ce procédé de fabrication d'une substance luminescente contenant de l'iridium est caractérisé par l'utilisation d'un sel complexe d'iridium ayant une teneur en fer impureté inférieure ou égale à 100 ppm dans l'étape de dopage par l'iridium. Dans ce procédé, la teneur en fer impureté est de préférence inférieure ou égale à 50 ppm, de préférence encore inférieure ou égale à 10 ppm, et le sel complexe d'iridium est de préférence un sel d'hexachloroiridium.
(JA) イリジウムを含有する蛍光体の製造方法を提供すること。  本発明によれば、II-VI族化合物半導体にイリジウムをドーピングする工程を含むイリジウム含有蛍光体の製造方法であって、イリジウムをドーピングする工程に、不純物の鉄の含有量が100ppm以下であるイリジウム錯塩を使用することを特徴とする方法が提供される。この方法において、不純物の鉄の含有量が50ppm以下、特に10ppm以下であること、イリジウム錯塩がヘキサクロロイリジウム塩であることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
公布语言: Japanese (JA)
申请语言: Japanese (JA)