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1. (WO2008062642) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/2008/062642 国际申请号: PCT/JP2007/071159
公布日: 29.05.2008 国际申请日: 24.10.2007
国际专利分类:
H05B 33/26 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
12
实质上有二维辐射表面的光源
26
以用作电极的导电材料的成分或配置为特征的
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
29
专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件
66
按半导体器件的类型区分的
68
只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
76
单极器件
772
场效应晶体管
78
由绝缘栅产生场效应的
786
薄膜晶体管
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
05
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
05
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
30
材料的选择
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
05
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
40
专门用于制造或处理这种器件或其部件的方法和设备
H 电学
01
基本电气元件
L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
51
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
50
专门适用于光发射的,如有机发光二极管 (OLED)或聚合物发光器件(PLED)
H 电学
05
其他类目不包含的电技术
B
电热;其他类目不包含的电照明
33
电致发光光源
10
专门适用于制造电致发光光源的设备或方法
申请人:
日本電気株式会社 NEC Corporation [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP (AllExceptUS)
独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 〒1008921 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 Tokyo 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP (AllExceptUS)
日浦英文 HIURA, Hidefumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
東口達 TOGUCHI, Satoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
多田哲也 TADA, Tetsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
金山敏彦 KANAYAMA, Toshihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
发明人:
日浦英文 HIURA, Hidefumi; JP
東口達 TOGUCHI, Satoru; JP
多田哲也 TADA, Tetsuya; JP
金山敏彦 KANAYAMA, Toshihiko; JP
代理人:
池田憲保 IKEDA, Noriyasu; 〒1000011 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 日比谷ダイビル Tokyo Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011, JP
优先权数据:
2006-31505022.11.2006JP
标题 (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
摘要:
(EN) A semiconductor device having such a structure as a light emitting layer of an organic matter or the like is sandwiched between a work function control single layer carbon nanotube cathode including donor of low ionization potential and a work function control single layer carbon nanotube anode including accepter of large electron affinity. A semiconductor device represented by an organic field effect light emitting element which can reduce emission start voltage, enhance characteristics/function such as emission efficiency, enhance reliability such as the lifetime, and enhance productivity such as reduction in fabrication cost is provided along with its fabrication process.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant une structure telle qu'une couche électroluminescente d'une matière organique ou similaire est prise en sandwich entre une cathode à nano tubes de carbone à une seule couche de commande de travail d'extraction comprenant un donneur à faible potentiel d'ionisation et une anode à nano tubes de carbone à une seule couche de commande de travail d'extraction comprenant un accepteur à affinité électronique importante. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur représenté par un élément d'émission de lumière à effet de champ organique, qui peut réduire la tension de début d'émission, augmenter les caractéristiques/la fonction telles que l'efficacité d'émission, augmenter la fiabilité telle que la durée de vie, et augmenter la productivité, de telle sorte que la réduction du coût de fabrication, ainsi que son procédé de fabrication.
(JA)  有機物などの発光層が、イオン化ポテンシャルが小さいドナーを内包させた仕事関数制御単層カーボンナノチューブ陰極と電子親和力の大きいアクセプターを内包させた仕事関数制御単層カーボンナノチューブ陽極に挟まれた構造を持つ半導体装置である。発光開始電圧の低減、高発光効率などの特性・性能向上、長寿命化などの信頼性向上、製造コスト削減などの生産性向上が可能となる有機電界効果発光素子に代表される半導体装置とその製法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)
也发表为:
JPWO2008062642US20100051902JP5326093