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1. (WO2007102471) PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON TUBE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC SURFACE
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2007/102471 国际申请号: PCT/JP2007/054206
公布日: 13.09.2007 国际申请日: 05.03.2007
国际专利分类:
H01J 1/34 (2006.01) ,H01J 9/12 (2006.01) ,H01J 40/16 (2006.01)
H 电学
01
基本电气元件
J
放电管或放电灯
1
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔,通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
02
主电极
34
光电发射阴极
H 电学
01
基本电气元件
J
放电管或放电灯
9
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法(;从放电管或灯回收材料
02
电极或电极系统的制造
12
光电发射阴极的;二次发射阴极的
H 电学
01
基本电气元件
J
放电管或放电灯
40
不包含气体电离的放电管
16
有光电发射阴极的,如碱光电池
申请人:
山下 真一 YAMASHITA, Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 宏之 WATANABE, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
鈴木 秀明 SUZUKI, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
鈴木 健吾 SUZUKI, Kengo [JP/JP]; JP (UsOnly)
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 〒4358558 静岡県浜松市市野町1126番地の1 Shizuoka 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka4358558, JP (AllExceptUS)
发明人:
山下 真一 YAMASHITA, Shinichi; JP
渡辺 宏之 WATANABE, Hiroyuki; JP
鈴木 秀明 SUZUKI, Hideaki; JP
鈴木 健吾 SUZUKI, Kengo; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6Ginza 1-chome, Tokyo 1040061, JP
优先权数据:
2006-06303108.03.2006JP
标题 (EN) PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON TUBE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC SURFACE
(FR) SURFACE PHOTOELECTRIQUE, TUBE ELECTRONIQUE LA CONTENANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SURFACE PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
摘要:
(EN) Disclosed is a photoelectric surface wherein the quantum efficiency is improved. Specifically disclosed is a photoelectric surface (10) comprising a light transmissive substrate (12) composed of a quartz glass or a borosilicate glass, an intermediate layer (14) composed of hafnium oxide (HfO2), a foundation layer (16) composed of an oxide of manganese, magnesium or titanium, and a photoelectron-emitting layer (18) composed of a compound of an alkali metal and antimony. The intermediate layer composed of hafnium oxide prevents the alkali metal contained in the photoelectron-emitting layer from moving into the light transmissive substrate, thereby contributing to improvement of the quantum efficiency.
(FR) Surface photoélectrique dont on a amélioré le rendement quantique. L'invention concerne en particulier une surface photoélectrique (10) comprenant un substrat (12) transparent à la lumière composé de verre de quartz ou de verre borosilicate, une couche intermédiaire (14) composée d'oxyde d'hafnium (HfO2), une couche de base (16) composée d'un oxyde de manganèse, de magnésium ou de titane et une couche émettrice de photo-électrons (18) faite d'un composé d'un métal alcalin et d'antimoine. La couche intermédiaire composée d'oxyde d'hafnium empêche le métal alcalin contenu dans la couche émettrice de photo-électrons de se déplacer dans le substrat transparent à la lumière, contribuant ainsi à améliorer le rendement quantique.
(JA) not available
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)