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1. (WO2004006312) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2004/006312 国际申请号: PCT/JP2003/008360
公布日: 15.01.2004 国际申请日: 01.07.2003
第2章国际初步审查要求书已提交: 01.07.2003
国际专利分类:
C23C 16/01 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
申请人: SHIBATA, Masatomo[JP/JP]; JP (UsOnly)
OSHIMA, Yuichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
HITACHI CABLE, LTD.[JP/JP]; 6-1, Otemachi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8166, JP (AllExceptUS)
USUI, Akira[JP/JP]; JP (AllExceptUS)
发明人: SHIBATA, Masatomo; JP
OSHIMA, Yuichi; JP
代理人: MIYAZAKI, Teruo ; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
优先权数据:
2002-19373302.07.2002JP
标题 (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE DU GROUPE III ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(JA) III族窒化物半導体基板およびその製造方法
摘要: front page image
(EN) A group III nitride semiconductor substrate low in defect density and less in warp and its manufacturing method are disclosed. The manufacturing process comprises a sequence of steps of forming a metal Ti film (63) on a sapphire substrate (61), performing nitriding, forming a TiN film (64) having pores, growing an HVPE-GaN layer (66) in which voids (65) are formed by the action of the metal Ti film (63) and the TiN film (64), and separating and removing the sapphire substrate (61) from the portion including the voids (65).
(FR) L'invention concerne un substrat semi-conducteur en nitrure du groupe III avec une densité faible de défauts et moins de gauchissement, ainsi que son procédé de fabrication. Ce procédé consiste à former un film de Ti métallique (63) sur un substrat en saphir (61), à réaliser une nitruration, à former un film de TiN (64) comportant des pores, à faire croître une couche de HVPE-GaN (66) dans laquelle des manques (65) sont formés par l'action du film en Ti métallique (63) et du film de TiN (64), et à séparer et à éliminer le substrat en saphir (61) de la portion comprenant les manques (65).
(JA) 本発明は、欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板、ならびにその製造方法を提供し、例えば、本発明にかかる製造プロセスは、下記する一連の工程を含む:サファイア基板61上に金属Ti膜63を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するTiN膜64を形成する;その後、HVPE−GaN層66を成長する;金属Ti膜63およびTiN膜64の作用により、HVPE−GaN層66中には空隙65が形成される;この空隙65の箇所からサファイア基板61を剥離除去する。
指定国: CN, US
公布语言: 日语 (JA)
申请语言: 日语 (JA)