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1. (WO2001001471) A METHOD AND APPARATUS FOR SIDE WALL PASSIVATION FOR ORGANIC ETCH
国际局存档的最新著录项目数据   

公布号: WO/2001/001471 国际申请号: PCT/US2000/016556
公布日: 04.01.2001 国际申请日: 14.06.2000
第2章国际初步审查要求书已提交: 26.01.2001
国际专利分类:
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/311][IPC code unknown for H01L 21/768]
申请人:
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; Building CA-1 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US
发明人:
NI, Tuqiang; US
TRAN, Nancy; US
代理人:
BROCK, Joe, A.; Hickman Stephens Coleman & Hughes, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
KENNEDY, Bill; Oppenheimer Wolff & Donnelly, LLP P.O. Box 52037 Palo Alto, Ca 94303, US
优先权数据:
09/340,74328.06.1999US
标题 (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR SIDE WALL PASSIVATION FOR ORGANIC ETCH
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF SERVANT A PASSIVER DES PAROIS LATERALES POUR EXECUTER UNE GRAVURE DE COUCHE ORGANIQUE
摘要:
(EN) A robust method for etching an organic low-k insulating layer on a semiconductor device, as disclosed herein, includes introducing into a processing chamber a substrate with an organic insulating layer and an overlying mask layer having an aperture. A plasma is then developed within the chamber from an oxidizing gas and a passivation gas. The passivation gas is preferably either a silicon containing gas or a boron containing gas, or both. The ratio of the oxidizing gas to the passivation gas is preferably at least 10:1. In addition, an inert carrier gas may be provided. The plasma is then used to etch the organic insulating layer through the mask layer, thereby forming a via having essentially vertical sidewalls in the organic low-k insulating layer.
(FR) Procédé élaboré servant à graver une couche isolante organique à constante diélectrique k basse sur un composant à semi-conducteur et consistant à introduire dans une chambre de traitement un substrat pourvu d'une couche isolante organique et d'une couche de masquage sus-jacente comportant une ouverture. On crée ensuite un plasma à l'intérieur de la chambre à partir d'un gaz d'oxydation et d'un gaz de passivation. Celui-ci est, de préférence, soit un gaz contenant silicium, soit un gaz contenant bore, ou les deux. Le rapport entre le gaz d'oxydation et le gaz de passivation est, de préférence, au moins 10 :1. De plus, un gaz porteur inerte peut être présent. On utilise ensuite le plasma afin de graver la couche isolante organique à travers le masque, ce qui permet d'obtenir un trou d'interconnexion possédant des parois latérales verticales dans la couche isolante organique à constante diélectrique k basse.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
欧亚专利局 (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)