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1. (WO1998028745) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
国际局存档的最新著录项目数据

公布号: WO/1998/028745 国际申请号: PCT/US1997/019209
公布日: 02.07.1998 国际申请日: 23.10.1997
第2章国际初步审查要求书已提交: 04.06.1998
国际专利分类:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
10
编程或数据输入电路
G PHYSICS
11
信息存储
C
静态存储器
16
可擦除可编程序只读存储器
02
电可编程序的
06
辅助电路,例如,用于写入存储器的
34
编程状态的确定,例如,阈值电压、过编程或欠编程、保留
申请人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
发明人:
HURTER, Andrew, J.; US
DOLLER, Edward, M.; US
代理人:
TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
优先权数据:
08/770,39720.12.1996US
标题 (EN) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
(FR) MEMOIRE INSCRIPTIBLE REMANENTE A CAPACITE DE PROGRAMMATION RAPIDE
摘要:
(EN) A method and apparatus provides capability for fast programming of a nonvolatile writeable memory. One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse. The memory cells of the block of memory cells having a threshold voltage in an intermediate region (62) below a programmed reference level (54) and above an erase reference level (50) are identified. These identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level (52).
(FR) Un procédé et un appareil présentent une capacité de programmation rapide d'une mémoire inscriptible rémanente. Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoireinscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme. Les cellules de mémoire du bloc de cellules de mémoire présentant une tension de seuil dans une région intermédiaire (62) inférieure à un niveau de référence programmé (54) et supérieur à un niveau de référence d'effacement (50) sont identifiées. Ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé (52).
指定国: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
非洲地区知识产权组织 (ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
欧亚专利局 (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧洲专利局 (EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
非洲知识产权组织 (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
公布语言: 英语 (EN)
申请语言: 英语 (EN)
也发表为:
AU1997049966