正在处理

请稍候...

设置

设置

1. WO1996013620 - IN SITU GETTER PUMP SYSTEM AND METHOD

公布号 WO/1996/013620
公布日 09.05.1996
国际申请号 PCT/US1995/014154
国际申请日 30.10.1995
第2章国际初步审查要求书已提交 08.05.1996
国际专利分类
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
54
镀覆工艺的控制或调节(一般控制或调节入G05)
C 化学;冶金
23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C
金属材料的表面处理
14
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
22
以镀覆工艺为特征的
56
连续镀覆的专用设备;维持真空的装置,例如真空锁定器
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
02
通过吸收或吸附而抽出
F 机械工程;照明;加热;武器;爆破
04
B
液体变容式机械;泵
37
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
06
用热力法抽出
08
用冷凝或冷冻,如低温泵
C23C 14/54 (2006.01)
C23C 14/56 (2006.01)
F04B 37/02 (2006.01)
F04B 37/08 (2006.01)
CPC
C23C 14/54
C23C 14/56
C23C 14/564
F04B 37/02
F04B 37/08
申请人
  • SAES PURE GAS, INC. [US/US]; 4175 Santa Fe Road San Luis Obispo, CA 93401, US
发明人
  • LORIMER, D'Arcy, H.; US
  • KRUEGER, Gordon, P.; US
代理人
  • HICKMAN, Paul, L. ; P.O. Box 61059 Palo Alto, CA 94306, US
优先权数据
08/332,56431.10.1994US
公布语言 英语 (EN)
申请语言 英语 (EN)
指定国
标题
(EN) IN SITU GETTER PUMP SYSTEM AND METHOD
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE POMPE GETTER IN SITU
摘要
(EN)
A wafer processing system including a processing chamber, a low pressure pump coupled to the processing chamber for pumping noble and non-noble gases, a valve mechanism coupling a source of noble gas to the processing chamber, an in situ getter pump disposed within the processing chamber which pumps certain non-noble gases during the flow of the noble gas into the chamber, and a processing mechanism for processing a wafer disposed within the processing chamber. Preferably, the in situ getter pump can be operated at a number of different temperatures to preferentially pump different species of gas at those temperatures. A gas analyzer is used to automatically control the temperature of the getter pump to control the species of gases that are pumped from the chamber. A method for processing a wafer of the present invention includes the steps of placing a wafer within a processing chamber and sealing the chamber, flowing a noble gas into the chamber while simultaneously pumping the chamber with an external low pressure pump and with an in situ getter pump disposed within the chamber which pumps non-noble gases, and processing the wafer within the chamber while the noble gas continues to flow. The method also preferably includes the steps of monitoring the composition of the gas within the chamber and controlling the temperature of the getter material based upon the analysis of the composition.
(FR)
Un système de traitement de tranches de semi-conducteurs comprend une chambre de traitement, une pompe basse pression couplée à la chambre de traitement et servant à pomper les gaz nobles et non nobles, un mécanisme à vanne couplant une source de gaz noble à la chambre de traitement, une pompe getter in situ placée à l'intérieur de la chambre de traitement, qui pompe certains gaz non nobles lors de l'écoulement du gaz noble dans cette chambre, et un mécanisme de traitement destiné à traiter une tranche placée à l'intérieur de la chambre de traitement. La pompe getter in situ peut être actionnée de préférence à différentes températures afin de pomper de préférence différentes qualités de gaz à ces températures. Un analyseur de gaz est utilisé pour réguler automatiquement la température de la pompe getter et contrôler les qualités des gaz qui sont pompées dans la chambre. Le procédé de traitement d'une tranche de la présente invention consiste à placer une tranche à l'intérieur d'une chambre de traitement et à fermer hermétiquement la chambre, à provoquer l'écoulement d'un gaz noble dans la chambre tout en pompant simultanément son contenu avec une pompe externe basse pression et une pompe getter in situ, placée à l'intérieur de la chambre et pompant les gaz non nobles, et à traiter la tranche se trouvant dans la chambre alors que le gaz noble continue de s'écouler. Le procédé consiste également de préférence à contrôler la composition du gaz dans la chambre et à réguler la température du getter en fonction de l'analyse de la composition.
其他公布号
MXPA/a/2000/010004
MXPA/a/2000/010005
MXPA/a/2000/010006
国际局存档的最新著录项目数据